Pochopenie štruktúry výkonových MOSFET

Zdrojový kov: Vrchná kovová vrstva pre zber a distribúciu prúdu
n+ zdrojových oblastí: Silne dopované oblasti pre injekciu nosiča
p-Oblasť tela: Vytvára kanál pre tok prúdu
n- Oblasť driftu: Podporuje schopnosť blokovania napätia
n+ substrát: Poskytuje cestu s nízkym odporom k odtoku
Odtok kovu: Spodný kovový kontakt pre prietok prúdu

Výkonové MOSFETy sú kľúčovými komponentmi modernej výkonovej elektroniky, ktoré sú navrhnuté tak, aby zvládali vysoké napätia a prúdy. Poďme preskúmať ich jedinečné štrukturálne vlastnosti, ktoré umožňujú efektívnu manipuláciu s energiou.

Prehľad základnej štruktúry

Zdroj Kov ║ ╔═══╩═══╗ ║ n+ ║ n+ ║ Zdroj ════╝ ╚════ p+ p Telo │- ═ ft Telo │- ═ ft ════════════════ n+ Substrát ║ ╨ Odtok kovu

Pohľad v reze na typický výkonový MOSFET

Vertikálna štruktúra

Na rozdiel od bežných MOSFETov využívajú výkonové MOSFETy vertikálnu štruktúru, kde prúd tečie zhora (zdroj) nadol (odtok), čím sa maximalizuje kapacita spracovania prúdu.