Aplikácia na výrobu prídržných obvodov MOSFET s malým prúdom

Prídržný obvod MOSFET, ktorý obsahuje odpory R1-R6, elektrolytické kondenzátory C1-C3, kondenzátor C4, PNP triódu VD1, diódy D1-D2, medziľahlé relé K1, napäťový komparátor, integrovaný čip s duálnou časovou základňou NE556 a MOSFET Q1, s kolíkom č. 6 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556, ktorý slúži ako signálový vstup, a jeden koniec odporu R1 je pripojený na rovnaký čas na kolík 6 integrovaného čipu s duálnou základňou NE556 sa používa ako vstup signálu, jeden koniec odporu R1 je pripojený na kolík 14 integrovaného čipu s duálnou základňou NE556, jeden koniec odporu R2, jeden koniec odpor R4, emitor tranzistora PNP VD1, kolektor MOSFET Q1 a napájanie jednosmerným prúdom a druhý koniec odporu R1 je pripojený na kolík 1 dvojitého základný integrovaný čip NE556, kolík 2 duálneho základového integrovaného čipu NE556, kladná elektrolytická kapacita kondenzátora C1 a medziľahlé relé. K1 normálne zatvorený kontakt K1-1, druhý koniec medziľahlého relé K1 normálne zatvorený kontakt K1-1, záporný pól elektrolytického kondenzátora C1 a jeden koniec kondenzátora C3 sú pripojené k zemi napájacieho zdroja, druhý koniec kondenzátora C3 je pripojený na kolík 3 integrovaného čipu duálnej časovej základne NE556, kolík 4 integrovaného čipu duálnej časovej základne NE556 je pripojený na kladný pól elektrolytického kondenzátora C2 a druhý koniec odporu R2 a záporný pól elektrolytického kondenzátora C2 je pripojený k zemi napájacieho zdroja a záporný pól elektrolytického kondenzátora C2 je pripojený k zemi napájacieho zdroja. Záporný pól C2 je pripojený k zemi napájacieho zdroja, kolík 5 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556 je pripojený k jednému koncu odporu R3, druhý koniec odporu R3 je pripojený ku kladnému fázovému vstupu komparátora napätia , záporný fázový vstup napäťového komparátora je súčasne pripojený na kladný pól diódy D1 a druhý koniec odporu R4, záporný pól diódy D1 je pripojený k zemi zdroja a výstup napäťového komparátora je pripojený na koniec odporu R5, druhý koniec odporu R5 je pripojený na triplex PNP. Výstup napäťového komparátora je pripojený na jeden koniec rezistora R5, druhý koniec odporu R5 je pripojený na bázu PNP tranzistora VD1, kolektor PNP tranzistora VD1 je pripojený na kladný pól diódy. D2, záporný pól diódy D2 je súčasne pripojený na koniec odporu R6, koniec kondenzátora C4 a hradlo MOSFET, druhý koniec rezistora R6, druhý koniec kondenzátora C4 a druhý koniec medziľahlého relé K1 sú všetky pripojené k napájacej ploche a druhý koniec medziľahlého relé K1 je pripojený k zdroju zdrojaMOSFET.

Retenčný obvod MOSFET, keď A poskytuje nízky spúšťací signál, v tomto čase je nastavený integrovaný čip s duálnou časovou základňou NE556, integrovaný čip s duálnou časovou základňou NE556 pin 5 výstup vysoká úroveň, vysoká úroveň do kladného fázového vstupu komparátora napätia, záporný fázový vstup napäťového komparátora odporom R4 a diódou D1, aby sa zabezpečilo referenčné napätie, v tomto čase je výstup komparátora napätia vysoká úroveň, vysoká úroveň, aby trióda VD1 viedla, prúd prúdiaci z kolektora triódy VD1 nabíja kondenzátor C4 cez diódu D2 a súčasne MOSFET Q1 vedie, v tomto čase je cievka medziľahlého relé K1 absorbovaná a medziľahlé relé K1 normálne uzavretý kontakt K 1-1 je odpojený a po odpojení normálne zatvoreného kontaktu medziľahlého relé K1 K 1-1, jednosmerné napájanie 1 a 2 stôp integrovaného čipu duálnej základne NE556 poskytuje napájacie napätie sa uloží, kým sa napätie na kolíku 1 a kolíku 2 integrovaného čipu duálnej základne NE556 nenabije na 2/3 napájacieho napätia, integrovaný čip s duálnou základňou NE556 sa automaticky resetuje a kolík 5 integrovaný čip NE556 s duálnou základňou sa automaticky obnoví na nízku úroveň a nasledujúce obvody nefungujú, zatiaľ čo v tomto čase je kondenzátor C4 vybitý, aby sa zachovala vodivosť MOSFET Q1 až do konca kapacita C4 vybitie a medziľahlé relé K1 uvoľnenie cievky, medzirelé K1 normálne zopnutý kontakt K 11 zopnutý, v tomto čase cez zopnuté medziľahlé relé K1 normálne zopnutý kontakt K 1-1 bude duálna časová základňa integrovaný čip NE556 1 stopa a 2 stopy napäťového uvoľnenia vypnuté, nabudúce na duálnu časovú základňu integrovaný čip NE556 kolík 6 na poskytnutie nízkeho spúšťacieho signálu, aby sa pripravil duálny integrovaný čip NE556.

Štruktúra obvodu tejto aplikácie je jednoduchá a nová, keď sa integrovaný čip s duálnou časovou základňou NE556 kolík 1 a kolík 2 nabíja na 2/3 napájacieho napätia, integrovaný čip s duálnou časovou základňou NE556 sa môže automaticky resetovať, integrovaný čip s duálnou časovou základňou NE556 pin 5 sa automaticky vráti na nízku úroveň, takže nasledujúce obvody nefungujú, aby sa automaticky zastavilo nabíjanie kondenzátora C4 a po zastavení nabíjania kondenzátora C4 udržiavané MOSFETom Q1 vodivé, môže táto aplikácia nepretržite udržiavaťMOSFETQ1 vodivý po dobu 3 sekúnd.

Obsahuje rezistory R1-R6, elektrolytické kondenzátory C1-C3, kondenzátor C4, PNP tranzistor VD1, diódy D1-D2, medzirelé K1, napäťový komparátor, integrovaný čip duálnej časovej základne NE556 a MOSFET Q1, pin 6 integrovaného duálneho časového základu čip NE556 sa používa ako signálový vstup a jeden koniec odporu R1 je pripojený na kolík 14 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556, odpor R2, kolík 14 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556 a kolík 14 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556 a rezistor R2 je pripojený na kolík 14 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556. kolík 14 integrovaného čipu NE556 s duálnou základňou, jeden koniec odporu R2, jeden koniec odporu R4, tranzistor PNP

Aký druh princípu práce?

Keď A poskytuje nízky spúšťací signál, potom súprava dvojitého základného integrovaného čipu NE556, dvojitého základného integrovaného čipu NE556 kolík 5 na výstupe vysokej úrovne, vysokej úrovne do kladného fázového vstupu napäťového komparátora, záporného fázového vstupu napäťový komparátor odporom R4 a diódou D1 na zabezpečenie referenčného napätia, tentoraz, vysokej úrovne výstupu komparátora napätia, vysokej úrovne vedenia tranzistora VD1, prúd tečie z kolektora tranzistor VD1 cez diódu D2 na nabíjací kondenzátor C4, v tomto čase medziľahlé relé K1 nasávanie cievky, medziľahlé relé K1 nasávanie cievky. Prúd tečúci z kolektora tranzistora VD1 sa nabíja do kondenzátora C4 cez diódu D2 a súčasne,MOSFETQ1 vedie, v tomto čase je nasávaná cievka stredného relé K1 a rozpájaný kontakt K1-1 medziľahlého relé K1 je odpojený a po odpojení normálneho kontaktu K1-1 stredného relé K1 je napájanie. napájacie napätie poskytované zdrojom jednosmerného prúdu do 1 a 2 stôp integrovaného čipu s duálnou časovou základňou NE556 sa uloží, kým sa napätie na kolíkoch 1 a 2 integrovaného čipu s duálnou časovou základňou neuloží NE556 sa nabije na 2/3 napájacieho napätia, integrovaný čip s duálnou základňou NE556 sa automaticky resetuje a kolík 5 integrovaného čipu s duálnou základňou NE556 sa automaticky obnoví na nízku úroveň a následné obvody sa neresetujú. práce a v tomto čase sa kondenzátor C4 vybije, aby sa zachovala vodivosť MOSFET Q1 až do konca vybitia kondenzátora C4, a cievka medziľahlého relé K1 sa uvoľní a medziľahlý relé K1 normálne zatvorený kontakt K 1-1 je odpojený. Relé K1 normálne zopnutý kontakt K 1-1 zopnutý, tentoraz cez zopnuté medziľahlé relé K1 normálne zopnutý kontakt K 1-1 bude duálny základný integrovaný čip NE556 1 stôp a 2 stôp na uvoľnenie napätia, nabudúce do integrovaný čip NE556 s duálnou základňou kolík 6 na poskytnutie spúšťacieho signálu na nastavenie nízkej hodnoty, aby sa vykonali prípravy na súpravu integrovaného čipu s duálnou základňou NE556.