O vysokovýkonných MOSFET je jedným z inžinierov, ktorí chcú diskutovať o tejto téme, a preto sme zorganizovali spoločné a nezvyčajné poznatky oMOSFET, Dúfam, že pomôžem inžinierom. Poďme hovoriť o MOSFET, veľmi dôležitom komponente!
Antistatická ochrana
Vysokovýkonný MOSFET je izolovaná elektrónka s efektom hradlového poľa, brána nemá obvod jednosmerného prúdu, vstupná impedancia je extrémne vysoká, je veľmi ľahké spôsobiť agregáciu statického náboja, výsledkom čoho bude vysoké napätie, ktoré bude bránou a zdrojom izolačná vrstva medzi prierazom.
Väčšina rannej výroby MOSFETov nemá antistatické opatrenia, takže buďte veľmi opatrní pri skladovaní a používaní, najmä pri menšom výkone MOSFETov, pretože vstupná kapacita MOSFET s menším výkonom je relatívne malá, keď sú vystavené statickej elektrine. vyššie napätie, ľahko spôsobené elektrostatickým prierazom.
Nedávne vylepšenie vysokovýkonného MOSFET je pomerne veľký rozdiel, v prvom rade vďaka funkcii väčšej vstupnej kapacity je tiež väčšia, takže kontakt so statickou elektrinou má proces nabíjania, čo vedie k menšiemu napätiu, čo spôsobuje poruchu o možnosti menšieho, a potom opäť, teraz vysokovýkonného MOSFETu vo vnútornom hradle a zdroj hradla a zdroja chráneného regulátora DZ, statického zabudovaného v ochrane regulátora dióda regulátora napätia hodnoty Nižšie, efektívne chrániť bránu a zdroj izolačnej vrstvy, rozdielny výkon, rôzne modely regulátora ochrany MOSFET diódy regulátora napätia hodnota je odlišná.
Aj keď sú interné ochranné opatrenia MOSFET s vysokým výkonom, mali by sme pracovať v súlade s antistatickými prevádzkovými postupmi, ktoré by mal mať kvalifikovaný personál údržby.
Detekcia a výmena
Pri opravách televízorov a elektrických zariadení sa stretnete s rôznymi poškodeniami komponentov,MOSFETje medzi nimi aj to, ako naši pracovníci údržby používajú bežne používaný multimeter na určenie dobrého a zlého, dobrého a zlého MOSFETu. Pri výmene MOSFET, ak neexistuje rovnaký výrobca a rovnaký model, ako nahradiť problém.
1, vysokovýkonný test MOSFET:
Ako všeobecný personál opravy elektrických televízorov pri meraní kryštálových tranzistorov alebo diód, spravidla pomocou bežného multimetra na určenie dobrých a zlých tranzistorov alebo diód, aj keď posúdenie elektrických parametrov tranzistora alebo diódy nemožno potvrdiť, ale pokiaľ metóda je správna pre potvrdenie kryštálových tranzistorov "dobré" a "zlé" alebo "zlé" pre potvrdenie kryštálových tranzistorov. "Zlý" alebo žiadny problém. Podobne môže byť aj MOSFET
Ak chcete použiť multimeter na určenie jeho "dobré" a "zlé", zo všeobecnej údržby, môže tiež spĺňať potreby.
Na detekciu je potrebné použiť multimetr typu pointer (digitálny merač nie je vhodný na meranie polovodičových zariadení). Pre výkonové MOSFET spínacie elektrónky sú N-kanálové vylepšenia, produkty výrobcov takmer všetky používajú rovnakú formu balenia TO-220F (týka sa spínaného zdroja pre výkon 50-200W spínacej elektrónky s efektom poľa) , usporiadanie troch elektród je tiež konzistentné, to znamená tri
Kolíky dole, model tlače smerom k sebe, ľavý kolík pre bránu, pravý testovací kolík pre zdroj, stredný kolík pre odtok.
(1) multimeter a súvisiace prípravky:
Po prvé, pred meraním by ste mali byť schopní použiť multimeter, najmä použitie ohmového prevodu, aby ste pochopili, že ohmový blok bude správnou aplikáciou ohmového bloku na meranie kryštálového tranzistora aMOSFET.
Pri multimetrovom ohmovom bloku nemôže byť stredová stupnica ohmov príliš veľká, najlepšie menšia ako 12 Ω (500-typová tabuľka pre 12 Ω), takže v bloku R × 1 môže mať väčší prúd pre PN prechod vpredu. charakteristika rozsudku je presnejšia. Interná batéria multimetra R × 10K je najlepšie väčšia ako 9V, takže pri meraní PN prechodu je inverzný zvodový prúd presnejší, inak sa únik nedá zmerať.
Teraz kvôli pokroku vo výrobnom procese, skríningu v továrni, testovaní je veľmi prísne, vo všeobecnosti posudzujeme, pokiaľ úsudok MOSFET nepresakuje, nepreniká skratom, môže byť vnútorný bez obvodu zosilnený na ceste, metóda je veľmi jednoduchá:
Pomocou multimetra bloku R × 10K; Vnútorná batéria bloku R × 10K je vo všeobecnosti 9V plus 1,5V až 10,5V toto napätie sa všeobecne považuje za dostatočné inverzný únik PN prechodu, červené pero multimetra má záporný potenciál (pripojené k zápornému pólu internej batérie), čierne pero multimetra má kladný potenciál (pripojený na kladný pól vnútornej batérie).
(2) Skúšobný postup:
Pripojte červené pero k zdroju MOSFET S; pripojte čierne pero k odtoku MOSFET D. V tomto čase by mala byť indikácia ihly nekonečno. Ak existuje ohmický index, ktorý naznačuje, že testovaná trubica má jav netesnosti, túto trubicu nemožno použiť.
Udržujte vyššie uvedený stav; v tomto čase s odporom 100K ~ 200K pripojeným k bráne a odtoku; v tomto čase by mala ručička indikovať počet ohmov, čím menší, tým lepší, vo všeobecnosti môže byť označený na 0 ohmov, tentoraz je to kladný náboj cez 100K odpor na nabíjacej bráne MOSFET, čo vedie k elektrickému poľu brány v dôsledku elektrické pole generované vodivým kanálom vedie k odvodu a vodivosti zdroja, takže vychýlenie ihly multimetra, uhol vychýlenia je veľký (Ohmov index je malý), aby sa dokázalo, že výkon výboja je dobrý.
A potom pripojený k odporu odstránené, potom by mal byť ukazovateľ multimetra stále MOSFET na indexe zostáva nezmenený. Odpor síce odoberieme, ale pretože odpor k bráne nabitý nábojom nezmizne, hradlo elektrické pole naďalej udržiava vnútorným vodivým kanálom je stále zachované, čo je charakteristika izolovaného hradla typu MOSFET.
Ak sa odpor odoberie, ihla sa pomaly a postupne vráti do vysokého odporu alebo sa dokonca vráti do nekonečna, aby sa zvážilo, že meraná trubica netesní.
V tomto čase s drôtom, pripojeným k bráne a zdroju testovanej trubice, sa ukazovateľ multimetra okamžite vrátil do nekonečna. Zapojenie vodiča tak, že meraný MOSFET, uvoľnenie náboja hradla, vnútorné elektrické pole zmizne; vodivý kanál tiež zmizne, takže odtok a zdroj medzi odporom a stanú sa nekonečnými.
2, vysokovýkonná náhrada MOSFET
Pri opravách televízorov a všetkých druhov elektrických zariadení, ak dôjde k poškodeniu komponentov, by sa mali nahradiť komponentmi rovnakého typu. Niekedy však nie sú po ruke rovnaké komponenty, je potrebné použiť iné typy náhrad, takže musíme brať do úvahy všetky aspekty výkonu, parametrov, rozmerov a pod., ako je televízia vo vnútri elektrónky linkového výstupu, ak vezmeme do úvahy napätie, prúd, výkon možno vo všeobecnosti nahradiť (linka výstupná trubica má takmer rovnaké rozmery ako má vzhľad) a výkon býva väčší a lepší.
Pre výmenu MOSFET, aj keď aj tento princíp, je najlepšie prototyp najlepšie, najmä nesnažte sa, aby bol výkon väčší, pretože výkon je veľký; vstupná kapacita je veľká, zmenená a budiace obvody nezodpovedajú budeniu nabíjacieho prúdu obmedzujúceho rezistora závlahového obvodu veľkosti hodnoty odporu a vstupná kapacita MOSFETu súvisí s výberom výkonu veľkých napriek veľká kapacita, ale vstupná kapacita je tiež veľká a vstupná kapacita je tiež veľká a výkon nie je veľký.
Vstupná kapacita je tiež veľká, budiaci obvod nie je dobrý, čo následne zhorší výkon pri zapnutí a vypnutí MOSFETu. Zobrazuje výmenu rôznych modelov MOSFET, berúc do úvahy vstupnú kapacitu tohto parametra.
Napríklad došlo k poškodeniu vysokonapäťovej dosky podsvietenia LCD televízora s uhlopriečkou 42 palcov, po kontrole vnútorného poškodenia MOSFET s vysokým výkonom, pretože neexistuje žiadne prototypové číslo výmeny, výber napätia, prúdu, výkonu nie je menší ako pôvodná náhrada MOSFET, výsledkom je, že podsvietená trubica sa javí ako nepretržité blikanie (problémy so spustením) a nakoniec nahradená rovnakým typom originálu, aby sa problém vyriešil.
Zistené poškodenie vysokovýkonného MOSFETu, výmena jeho periférnych komponentov perfúzneho okruhu musí byť tiež vymenená, pretože poškodenie MOSFET môže byť aj nekvalitné komponenty perfúzneho okruhu spôsobené poškodením MOSFETu. Aj keď je poškodený samotný MOSFET, v momente, keď sa MOSFET pokazí, sú poškodené aj komponenty perfúzneho okruhu a mali by byť vymenené.
Tak ako máme veľa šikovných opravárov pri oprave spínaného zdroja A3; pokiaľ sa zistí porucha spínacej elektrónky, je to aj predná časť budiacej elektrónky 2SC3807 spolu s výmenou z rovnakého dôvodu (aj keď elektrónka 2SC3807, meraná multimetrom je dobrá).
Čas odoslania: 15. apríla 2024
