Elektronické súčiastky majú elektrické parametre a pri výbere typu je dôležité ponechať elektronickým súčiastkam dostatočnú rezervu, aby bola zabezpečená stabilita a dlhodobá prevádzka elektronických súčiastok. Ďalej stručne predstavte metódu výberu triódy a MOSFET.
Trióda je prietokovo riadené zariadenie, MOSFET je napäťovo riadené zariadenie, medzi nimi sú podobnosti, pri výbere je potrebné zvážiť výdržné napätie, prúd a ďalšie parametre.
1, podľa výberu maximálneho výdržného napätia
Triódový kolektor C a emitor E znesú maximálne napätie medzi parametrom V (BR) CEO, napätie medzi CE počas prevádzky nesmie prekročiť stanovenú hodnotu, inak sa trióda nenávratne poškodí.
Maximálne napätie existuje aj medzi kolektorom D a zdrojom S MOSFET počas používania a napätie na DS počas prevádzky nesmie prekročiť špecifikovanú hodnotu. Všeobecne povedané, hodnota odolnosti voči napätiuMOSFETje oveľa vyššia ako Triode.
2, maximálna nadprúdová schopnosť
Trióda má parameter ICM, tj nadprúdovú schopnosť kolektora a nadprúdová schopnosť MOSFETu je vyjadrená pomocou ID. Pri súčasnej prevádzke prúd pretekajúci cez triódu/MOSFET nemôže prekročiť špecifikovanú hodnotu, inak dôjde k spáleniu zariadenia.
Vzhľadom na prevádzkovú stabilitu je vo všeobecnosti povolená rezerva 30% - 50% alebo dokonca viac.
3、Prevádzková teplota
Čipy komerčnej kvality: všeobecný rozsah 0 až +70 ℃;
Čipy priemyselnej kvality: všeobecný rozsah -40 až +85 ℃;
Čipy vojenskej kvality: všeobecný rozsah -55 ℃ až +150 ℃;
Pri výbere MOSFET vyberte vhodný čip podľa príležitosti použitia produktu.
4, podľa výberu spínacej frekvencie
Trióda ajMOSFETmajú parametre spínacej frekvencie/doby odozvy. Pri použití vo vysokofrekvenčných obvodoch je potrebné zvážiť dobu odozvy spínacej trubice, aby spĺňala podmienky použitia.
5、Ďalšie podmienky výberu
Napríklad parameter odporu Ron MOSFET, zapínacie napätie VTHMOSFET, a tak ďalej.
Každý vo výbere MOSFET, môžete kombinovať vyššie uvedené body pre výber.
Čas odoslania: 27. apríla 2024
