O základnej teórii paralelných tranzistorov a MOSFETov: Po prvé, tranzistory majú zápornú exponenciálnu hodnotu teploty, to znamená, že keď teplota samotného tranzistora stúpne, odpor pri zapnutí sa zníži. Po druhé, MOSFETy majú kladnú exponenciálnu hodnotu teploty na rozdiel od tranzistorov, čo znamená, že keď teplota stúpa, odpor sa bude pomaly zvyšovať.
V porovnaní s tranzistormi sú MOSFETy skutočne vhodnejšie na vyrovnávanie prúdu v paralelných silových obvodoch. Takže keď je prúd v napájacom obvode relatívne veľký, vo všeobecnosti odporúčame použiť paralelné MOSFETy pre skrat. Keď zvolíme MOSFET na vyrovnanie prúdu a jedným zo spôsobov, akým prúd prevyšuje prúd MOSFET, sa prúd MOSFET spôsobený teplom veľkých MOSFETov, čo bude mať za následok odpor zapnutia a vypnutia, zväčší. , zníženie poklesu prúdu; MOSFETy sa na základe rozdielu v prúde neustále upravujú a nakoniec si uvedomia aktuálnu rovnováhu medzi nimiMOSFETy.
Jedna z vecí, ktoré si musíme všimnúť: tranzistory môžu byť tiež zapojené paralelne, aby sa dokončil tok vysokoprúdového tovaru, ale potom musíte tiež vychádzať zo základne sériového odporu, aby ste sa vysporiadali s aktuálnou rovnováhou každého z nich. paralelný tranzistor v strede problému.
Bežné problémy paralelného pripojenia tranzistorov:
(1), brána každého tranzistora nemôže byť priamo pripojená ku každému odporu pohonu v sérii na vykonanie pohonu, aby sa zabránilo oscilácii.
(2), na manipuláciu s každým tranzistorom(MOSFET)čas otvorenia a čas zatvorenia na udržanie konzistencie, pretože ak nie sú konzistentné, prvé otvorenie alebo zatvorenie potrubia sa zničí v dôsledku nadmerného prenikania prúdu.
(3) a nakoniec by sme chceli, aby bol zdroj každého tranzistora v sérii s vyrovnávacím odporom, samozrejme to nie je potrebné pre každý prípad.
Olueky sa stal jedným z najlepších a najrýchlejšie rastúcich agentov v Ázii vďaka agresívnemu rozvoju trhu a efektívnej integrácii zdrojov. Stať sa najcennejším agentom na svete jeolukey'scieľ.
Čas odoslania: júl-05-2024
