Metal-Oxide-Semiconductor štruktúra kryštálového tranzistora bežne známeho akoMOSFET, kde sa MOSFETy delia na MOSFETy typu P a MOSFETy typu N. Integrované obvody zložené z MOSFET sa tiež nazývajú integrované obvody MOSFET a úzko súvisiace integrované obvody MOSFET zložené z PMOSFET aNMOSFET sa nazývajú integrované obvody CMOSFET.
MOSFET pozostávajúci zo substrátu typu p a dvoch n-rozprestretých oblastí s vysokými hodnotami koncentrácie sa nazýva n-kanál.MOSFETa vodivý kanál spôsobený vodivým kanálom typu n je spôsobený n-rozptyľovacími dráhami v dvoch n-rozptyľovacích dráhach s vysokými hodnotami koncentrácie, keď trubica vedie. n-kanálové zosilnené MOSFETy majú n-kanál spôsobený vodivým kanálom, keď sa kladné smerové predpätie zvýši čo najviac na hradle a iba vtedy, keď prevádzka hradlového zdroja vyžaduje prevádzkové napätie presahujúce prahové napätie. n-kanálové vyčerpané MOSFETy sú tie, ktoré nie sú pripravené na hradlové napätie (prevádzka hradlového zdroja vyžaduje prevádzkové napätie nula). N-kanálový MOSFET s vyčerpaním svetla je n-kanálový MOSFET, v ktorom je vodivý kanál spôsobený, keď nie je pripravené hradlové napätie (prevádzkové napätie zdroja hradla je nulové).
Integrované obvody NMOSFET sú N-kanálový napájací obvod MOSFET, integrované obvody NMOSFET, vstupný odpor je veľmi vysoký, drvivá väčšina nemusí tráviť absorpciu toku energie, a preto sa integrované obvody CMOSFET a NMOSFET spájajú bez toho, aby museli brať do úvahy zohľadňujú zaťaženie toku energie.Integrované obvody NMOSFET, prevažná väčšina výberu jednoskupinového kladného spínaného napájacieho obvodu napájacie obvody Väčšina integrovaných obvodov NMOSFET používa jeden kladný spínaný napájací obvod napájacieho obvodu, a na 9V pre viac. Integrované obvody CMOSFET potrebujú iba použiť rovnaký napájací obvod spínacieho napájacieho obvodu ako integrované obvody NMOSFET, môžu byť okamžite prepojené s integrovanými obvodmi NMOSFET. Avšak z NMOSFETu na CMOSFET sa okamžite pripojí, pretože výstupný odpor NMOSFET pri vytiahnutí je menší ako odpor proti vytiahnutiu integrovaného obvodu CMOSFET, takže skúste použiť odpor proti vytiahnutiu potenciálu R, hodnota odporu R je zvyčajne 2 až 100 kΩ.
Konštrukcia N-kanálových zosilnených MOSFETov
Na kremíkovom substráte typu P s nízkou hodnotou koncentrácie dopovania sa vytvoria dve oblasti N s vysokou hodnotou koncentrácie dopovania a z hliníkového kovu sa vytiahnu dve elektródy, ktoré slúžia ako odtok d a zdroj s.
Potom na povrchu polovodičovej súčiastky maskujúcej veľmi tenkú vrstvu kremičitej izolačnej trubice, v odtokovej izolačnej trubici medzi odtokom a zdrojom ďalšej hliníkovej elektródy, ako hradlo g.
V substráte tiež vyveďte elektródu B, ktorá pozostáva z N-kanálového hrubého MOSFETu. Zdroj MOSFET a substrát sú vo všeobecnosti spojené dohromady, veľká väčšina potrubia v továrni je k nemu už dávno pripojená, jeho hradlo a ostatné elektródy sú izolované medzi plášťom.
Čas odoslania: 26. mája 2024
