Field Effect Tranzistor skrátene akoMOSFET.Existujú dva hlavné typy: elektrónky s efektom poľa a polovodičové elektrónky s oxidom kovu. MOSFET je tiež známy ako unipolárny tranzistor s väčšinou nosičov zapojených do vodivosti. Sú to napäťovo riadené polovodičové zariadenia. Vďaka vysokému vstupnému odporu, nízkej hlučnosti, nízkej spotrebe energie a ďalším vlastnostiam je silným konkurentom bipolárnych tranzistorov a výkonových tranzistorov.
I. Hlavné parametre MOSFET
1, DC parametre
Saturačný odtokový prúd možno definovať ako odtokový prúd zodpovedajúci tomu, keď sa napätie medzi hradlom a zdrojom rovná nule a napätie medzi odtokom a zdrojom je väčšie ako vypínacie napätie.
Vypínacie napätie UP: UGS potrebné na zníženie ID na malý prúd, keď je UDS istý;
Zapínacie napätie UT: UGS je potrebné na privedenie ID na určitú hodnotu, keď je UDS istý.
2, AC parametre
Nízkofrekvenčná transkonduktancia gm : Popisuje riadiaci účinok hradlového a zdrojového napätia na odberový prúd.
Medzipólová kapacita: kapacita medzi tromi elektródami MOSFET, čím menšia hodnota, tým lepší výkon.
3, Limitné parametre
Drain, source breaking voltage: keď odtokový prúd prudko stúpne, spôsobí to lavínový rozpad, keď UDS.
Prierazné napätie brány: normálna prevádzka elektrónky s efektom spojovacieho poľa, brána a zdroj medzi prechodom PN v stave spätného predpätia, prúd je príliš veľký na to, aby spôsobil poruchu.
II. CharakteristikaMOSFETy
MOSFET má zosilňovaciu funkciu a môže tvoriť zosilnený obvod. V porovnaní s triódou má nasledujúce vlastnosti.
(1) MOSFET je napäťovo riadené zariadenie a potenciál je riadený UGS;
(2) Prúd na vstupe MOSFET je extrémne malý, takže jeho vstupný odpor je veľmi vysoký;
(3) Jeho teplotná stabilita je dobrá, pretože pre vodivosť používa väčšinu nosičov;
(4) Koeficient zosilnenia napätia jeho zosilňovacieho obvodu je menší ako koeficient triódy;
(5) Je odolnejší voči žiareniu.
po tretie,MOSFET a porovnanie tranzistorov
(1) Zdroj MOSFET, hradlo, odtok a zdroj triódy, základňa, pól nastavenia zodpovedá úlohe podobného.
(2) MOSFET je prúdové zariadenie riadené napätím, koeficient zosilnenia je malý, schopnosť zosilnenia je slabá; trióda je prúdovo riadené napäťové zariadenie, schopnosť zosilnenia je silná.
(3) MOSFET brána v podstate neberie prúd; a trióda funguje, základňa pohltí určitý prúd. Preto je vstupný odpor MOSFET brány vyšší ako vstupný odpor triódy.
(4) Vodivý proces MOSFET má účasť polytrónu a trióda má účasť dvoch druhov nosičov, polytrónu a oligotrónu, a jeho koncentrácia oligotrónu je značne ovplyvnená teplotou, žiarením a inými faktormi, preto MOSFET má lepšiu teplotnú stabilitu a odolnosť voči žiareniu ako tranzistor. MOSFET by sa mal zvoliť vtedy, keď sa podmienky prostredia výrazne menia.
(5) Keď je MOSFET pripojený k zdrojovému kovu a substrátu, zdroj a kolektor sa môžu vymeniť a charakteristiky sa veľmi nemenia, zatiaľ čo pri výmene kolektora a emitora tranzistora sú charakteristiky odlišné a hodnota β je znížená.
(6) Šumové číslo MOSFET je malé.
(7) MOSFET a trióda môžu byť zložené z rôznych zosilňovacích obvodov a spínacích obvodov, ale prvé spotrebúvajú menej energie, vysokú tepelnú stabilitu, široký rozsah napájacieho napätia, takže sa široko používajú vo veľkých a ultra veľkých stupnicové integrované obvody.
(8) Zapínací odpor triódy je veľký a zapínací odpor MOSFET je malý, takže MOSFETy sa vo všeobecnosti používajú ako spínače s vyššou účinnosťou.
Čas odoslania: 16. mája 2024
