MOSFETy (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) sa často považujú za plne riadené zariadenia. Je to preto, že prevádzkový stav (zapnutý alebo vypnutý) MOSFET je úplne riadený hradlovým napätím (Vgs) a nezávisí od prúdu bázy ako v prípade bipolárneho tranzistora (BJT).
V MOSFETe určuje hradlové napätie Vgs, či je medzi zdrojom a odtokom vytvorený vodivý kanál, ako aj šírku a vodivosť vodivého kanála. Keď Vgs prekročí prahové napätie Vt, vytvorí sa vodivý kanál a MOSFET vstúpi do zapnutého stavu; keď Vgs klesne pod Vt, vodivý kanál zmizne a MOSFET je v stave vypnutia. Toto ovládanie je plne kontrolované, pretože hradlové napätie môže nezávisle a presne riadiť prevádzkový stav MOSFET bez spoliehania sa na iné parametre prúdu alebo napätia.
Naproti tomu prevádzkový stav poloriadených zariadení (napr. tyristorov) neovplyvňuje len riadiace napätie alebo prúd, ale aj iné faktory (napr. anódové napätie, prúd atď.). Výsledkom je, že plne riadené zariadenia (napr. MOSFET) zvyčajne ponúkajú lepší výkon z hľadiska presnosti a flexibility riadenia.
Stručne povedané, MOSFETy sú plne riadené zariadenia, ktorých prevádzkový stav je úplne riadený hradlovým napätím a majú výhody vysokej presnosti, vysokej flexibility a nízkej spotreby energie.
Čas odoslania: 20. septembra 2024
