V programe na navrhovanie vypínačov a iných systémov napájania budú dizajnéri programov venovať väčšiu pozornosť množstvu hlavných parametrovMOSFET, ako je odpor zapnutý/vypnutý, väčšie prevádzkové napätie, väčší tok energie. Hoci tento prvok jekritický, ak vezmeme do úvahy nevhodné miesto, napájací obvod nebude fungovať správne, ale v skutočnosti je to iba prvý krok,MOSFETy vlastné parazitné parametre sa považujú za dôležité pre ohrozenie napájacieho obvodu.
Okamžité riadenie MOSFETov s integrovanými obvodmi napájania
Dobrý obvod ovládača MOSFET má nasledujúce ustanovenia:
(1) V momente, keď je spínač aktivovaný, obvod vodiča by mal byť schopný vydávať veľmi veľký prúd, aby medzipólové prevádzkové napätie brány-zdroja MOSFET rýchlo stúplo na požadovanú hodnotu, aby sa zabezpečilo, že spínač možno otočiť. rýchlo zapnúť a na stúpajúcej hrane nebudú žiadne vysokofrekvenčné oscilácie.
(2) perióda zapínania a vypínania, obvod pohonu môže zabezpečiť, že medzipólové prevádzkové napätie brány MOSFET sa udržiava po dlhú dobu a efektívne vedenie.
(3) Zatvorte moment hnacieho obvodu, môžete dodávať kanál s nízkou impedanciou pre kapacitné prevádzkové napätie zdroja brány MOSFET medzi rýchlym odberom, aby sa zabezpečilo, že spínač možno rýchlo vypnúť.
(4) Jednoduchá a spoľahlivá konštrukcia hnacích obvodov s nízkym opotrebením.
(5) Podľa konkrétnej situácie vykonávať ochranu.
V napájacom zdroji riadiaceho modulu je najbežnejší napájací obvod IC priamo poháňajúci MOSFET. aplikácie, by mali venovať pozornosť väčšiemu pohonu najvyššia hodnota toku výkonu, MOSFET distribučná kapacita 2 hlavné parametre. Schopnosť pohonu Power IC, veľkosť distribučnej kapacity MOS, hodnota odporu pohonu ohrozí rýchlosť spínania výkonu MOSFET. Ak je výber distribučnej kapacity MOSFET relatívne veľký, kapacita interného pohonu IC napájacieho zdroja nestačí, musí byť v obvode pohonu, aby sa zlepšila schopnosť pohonu, často aplikujte napájací obvod totemového pólu, aby sa zvýšila schopnosť pohonu IC zdroja. .
Čas odoslania: 25. júla 2024
