SilaMOSFET "MOSFET" je anglický názov "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor" s názvom "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor". Toto slovo chráni pred kontaminantom a zariadením na ochranu dverí, kovovým materiálom SiO2 SiN a polovodičovým kožným materiálom v suchom stave. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in wordlichtantana devolgende type en d v Typ N-kanaal a typ P-kanaal.
Power MOSFET je slovo cez het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-výrobca de parameter RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) je kritériom pre ORing FET-toepassing. Informačná príručka k údajom definuje RDS(ON) vo vzťahu k celej bráne, VGS, a ku dverám vermogenschakelaar vloeit, viac ako RDS(ON) je relatívne štatistický zabezpečený parameter pre pohon brány.
Okrem toho výrobca MOSFETov a schakelende voeding wil ontwikkelen s minimálnou špecifikáciou ontwerp en cost, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFETy paralelný laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. V silnejšom zvyšovaní počtu tranzistorov MOSFET je v sérii schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.
Naast RDS(ON), v hele procese pre výber MOSFET, zohľadňujú sa všetky parametre MOSFET, ale nie sú kritizované. In veel gevallen moeten ontwerpers islyed Op de SOA-grafiek in the Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom and drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
Pre vyššie uvedené typy záťažových podmienok môžete po odhadnutí (alebo zmeraní) väčšieho prevádzkového napätia a po ponechaní rozpätia 20 % až 30 % určiť potrebnú hodnotu menovitého prúdu VDS MOSFET. Tu je potrebné povedať, že v záujme lepších silnejších nákladov a hladších charakteristík je možné vybrať v sérii prúdových diód a induktorov striedavého prúdu pri uzatváraní zloženia prúdovej regulačnej slučky, uvoľniť kinetickú energiu indukčného prúdu, aby sa udržala MOSFET. menovitý prúd je jasný, prúd sa dá odvodiť. Tu je však potrebné vziať do úvahy dva parametre: jedným je hodnota prúdu v nepretržitej prevádzke a najvyššia hodnota jednopulzného prúdového špičky (Spike a Surge), tieto dva parametre rozhodujú o tom, koľko by ste mali zvoliť menovitú hodnotu aktuálna hodnota.
Čas odoslania: 27. mája 2024
