I. Definícia MOSFET
Ako napäťovo poháňané vysokoprúdové zariadenia, MOSFETy majú veľké množstvo aplikácií v obvodoch, najmä v energetických systémoch. Telesné diódy MOSFET, tiež známe ako parazitné diódy, sa nenachádzajú v litografii integrovaných obvodov, ale nachádzajú sa v samostatných zariadeniach MOSFET, ktoré poskytujú spätnú ochranu a pokračovanie prúdu, keď sú poháňané vysokými prúdmi a keď sú prítomné indukčné záťaže.
Kvôli prítomnosti tejto diódy nie je možné jednoducho vidieť, ako sa MOSFET zariadenie prepína v obvode, ako v nabíjacom obvode, kde je nabíjanie ukončené, napájanie je odpojené a batéria sa obráti smerom von, čo je zvyčajne nežiaduci výsledok.
Všeobecným riešením je pridať diódu na zadnú stranu, aby sa zabránilo spätnému napájaniu, ale charakteristiky diódy určujú potrebu poklesu napätia vpred o 0,6 ~ 1 V, čo vedie k vážnemu generovaniu tepla pri vysokých prúdoch, pričom spôsobuje plytvanie. energie a zníženie celkovej energetickej účinnosti. Ďalšou metódou je pripojenie tranzistorov MOSFET k sebe, pričom sa na dosiahnutie energetickej účinnosti využíva nízky odpor tranzistorov MOSFET.
Malo by sa poznamenať, že po vedení je MOSFET nesmerový, takže po vedení pod tlakom je ekvivalentný drôtu, iba odporový, bez poklesu napätia v stave, zvyčajne nasýtený odporom niekoľko miliohmov ažvčasné miliohmya nesmerové, umožňujúce prechod jednosmerného a striedavého prúdu.
II. Charakteristika MOSFETov
1, MOSFET je napäťovo riadené zariadenie, na pohon vysokých prúdov nie je potrebný žiadny hnací stupeň;
2, vysoký vstupný odpor;
3, široký rozsah prevádzkovej frekvencie, vysoká rýchlosť spínania, nízka strata
4, AC pohodlná vysoká impedancia, nízka hlučnosť.
5,Viacnásobné paralelné použitie, zvýšenie výstupného prúdu
Po druhé, použitie MOSFETov v procese preventívnych opatrení
1, aby sa zaistilo bezpečné používanie MOSFET, v konštrukcii linky by nemal prekročiť stratový výkon potrubia, maximálne napätie zdroja úniku, napätie a prúd hradla a iné limitné hodnoty parametrov.
2, musia sa používať rôzne typy MOSFETovbyť prísne in v súlade s požadovaným predpätím prístupu k obvodu, aby bola v súlade s polaritou offsetu MOSFET.
3. Pri inštalácii MOSFET dávajte pozor na polohu inštalácie, aby ste sa vyhli blízkosti vykurovacieho telesa. Aby sa zabránilo vibráciám armatúr, musí byť plášť utiahnutý; ohýbanie vývodov kolíkov by sa malo vykonávať pri veľkosti koreňa 5 mm, aby sa zabránilo ohnutiu kolíka a úniku.
4, kvôli extrémne vysokej vstupnej impedancii musia byť MOSFETy skratované z kolíka počas prepravy a skladovania a zabalené s kovovým tienením, aby sa zabránilo externému indukovanému potenciálnemu poškodeniu brány.
5. Napätie hradla prechodových MOSFETov nemožno obrátiť a možno ho uložiť v stave otvoreného obvodu, ale vstupný odpor MOSFET s izolovaným hradlom je veľmi vysoký, keď sa nepoužívajú, takže každá elektróda musí byť skratovaná. Pri spájkovaní MOSFET s izolovanou bránou postupujte podľa poradia zdroj-odvodová brána a spájkujte s vypnutým napájaním.
Aby ste zaistili bezpečné používanie MOSFETov, musíte plne porozumieť charakteristikám MOSFETov a preventívnym opatreniam, ktoré je potrebné prijať pri používaní tohto procesu, dúfam, že vyššie uvedené zhrnutie vám pomôže.
Čas odoslania: 15. mája 2024
