Úvod do princípu fungovania bežne používaných vysokovýkonných MOSFETov

Dnes na bežne používanom vysokovýkonnomMOSFETstručne predstaviť jeho princíp fungovania. Pozrite sa, ako realizuje svoju vlastnú prácu.

Metal-Oxide-Semiconductor, čiže Metal-Oxide-Semiconductor, presne tento názov popisuje štruktúru MOSFET v integrovanom obvode, to znamená: v určitej štruktúre polovodičového zariadenia, spojeného s oxidom kremičitým a kovom, vzniká brány.

Zdroj a odtok MOSFET sú protiľahlé, obe sú zónami typu N vytvorenými v zadnom bráne typu P. Vo väčšine prípadov sú tieto dve oblasti rovnaké, aj keď dva konce nastavenia neovplyvnia výkon zariadenia, takéto zariadenie sa považuje za symetrické.

Klasifikácia: podľa typu materiálu kanála a typu izolovanej brány každého N-kanála a P-kanála dva; podľa vodivého režimu: MOSFET sa delí na vyčerpanie a zosilnenie, takže MOSFET sa rozdelí na N-kanálové vyčerpanie a zosilnenie; Vyčerpanie P-kanálu a vylepšenie štyroch hlavných kategórií.

MOSFET princíp činnosti - štrukturálne charakteristikyMOSFETvedie len jeden nosič polarity (polys) zapojený do vodivosti, je to unipolárny tranzistor. Vodivý mechanizmus je rovnaký ako MOSFET s nízkym výkonom, ale štruktúra má veľký rozdiel, MOSFET s nízkym výkonom je horizontálne vodivé zariadenie, väčšina výkonovej MOSFET vertikálnej vodivej štruktúry, tiež známa ako VMOSFET, čo výrazne zlepšuje MOSFET odolnosť zariadenia voči napätiu a prúdu. Hlavným znakom je, že medzi kovovým uzáverom a kanálom je vrstva kremičitej izolácie, a preto má vysoký vstupný odpor, trubica vedie v dvoch vysokých koncentráciách n difúznej zóny, aby vytvorila vodivý kanál typu n. n-kanálové vylepšené MOSFETy musia byť aplikované na hradlo s predpätím dopredu a len vtedy, keď je napätie zdroja hradla väčšie ako prahové napätie vodivého kanála generovaného n-kanálovým MOSFET. MOSFETy typu s n-kanálovým vyčerpaním sú n-kanálové MOSFETy, v ktorých sa generujú vodivé kanály, keď nie je aplikované žiadne hradlové napätie (napätie hradla je nulové).

Princíp činnosti MOSFET je regulovať množstvo "indukovaného náboja" pomocou VGS na zmenu stavu vodivého kanála vytvoreného "indukovaným nábojom" a potom dosiahnuť účel riadenia odtokového prúdu. Pri výrobe trubíc sa prostredníctvom procesu izolačnej vrstvy pri vzniku veľkého množstva kladných iónov, tak na druhej strane rozhrania môže indukovať viac záporného náboja, tieto záporné náboje až po vysoký prienik nečistôt do N oblasti spojené s vytvorením vodivého kanála, dokonca aj vo VGS = 0 je tiež veľký zvodový prúd ID. keď sa zmení napätie hradla, zmení sa aj množstvo náboja indukovaného v kanáli a zmení sa aj šírka a úzka kanálika, a teda zvodový prúd ID s napätím hradla. ID prúdu sa mení s napätím brány.

Teraz aplikáciaMOSFETvýrazne zlepšila učenie ľudí, efektivitu práce a zároveň zlepšila kvalitu nášho života. Máme to racionalizovanejšie pochopiť prostredníctvom nejakého jednoduchého pochopenia. Nielenže poslúži ako pomôcka, lepšie pochopenie jeho vlastností, princípu práce, čo nám dá aj veľa zábavy.