Ako fungujú MOSFETy?

1, MOSFETúvod

FieldEffect Transistor skratka (FET)) názov MOSFET. malým počtom nosičov podieľať sa na vedení tepla, tiež známy ako viacpólový tranzistor. Patrí k polosupravodičovému mechanizmu napäťového masteringu. Výstupný odpor je vysoký (10^8 ~ 10^9Ω), nízka hlučnosť, nízka spotreba energie, statický rozsah, jednoduchá integrácia, bez javu druhého zlyhania, poistná úloha na mori a ďalšie výhody sa teraz zmenili bipolárny tranzistor a výkonový tranzistor silných spolupracovníkov.

2, charakteristiky MOSFET

1, MOSFET je zariadenie na riadenie napätia, ktoré cez VGS (gate source napätie) riadi ID (odtok DC);

2, MOSFETyvýstupný jednosmerný pól je malý, takže výstupný odpor je veľký.

3, je to aplikácia malého počtu nosičov na vedenie tepla, takže má lepšiu mieru stability;

4, pozostáva z redukčnej dráhy elektrického redukčného koeficientu je menšia ako trióda pozostáva z redukčnej dráhy redukčného koeficientu;

5, MOSFET schopnosť proti ožiareniu;

6, v dôsledku absencie chybnej aktivity disperzie oligonu spôsobenej rozptýlenými časticami hluku, takže šum je nízky.

3, princíp úlohy MOSFET

MOSFETyprincíp fungovania v jednej vete, je "odtok - zdroj medzi ID prúdiacim cez kanál pre bránu a kanálom medzi pn prechodom tvoreným spätným predpätím hlavného ID hradlového napätia", aby som bol presný, ID preteká cez šírku dráhy, t.j. plochy prierezu kanála, je zmena v spätnom vychýlení pn prechodu, ktorá vytvára vrstvu ochudobnenia. Dôvod pre rozšírenú kontrolu variácií. V nenasýtenom mori VGS=0, keďže expanzia prechodovej vrstvy nie je príliš veľká, podľa pridania magnetického poľa VDS medzi odtok-zdroj sú niektoré elektróny v zdrojovom mori odťahované preč. odtok, tj existuje aktivita DC ID od odtoku k zdroju. Mierna vrstva rozšírená od brány po odtok robí celé telo žľabu blokovacím typom, ID plné. Nazvite tento formulár štipkou-off. Symbolizuje prechodovú vrstvu ku kanálu celej prekážky, nie je odrezaný jednosmerný prúd.

Pretože v prechodovej vrstve nedochádza k voľnému pohybu elektrónov a dier, má v ideálnej forme takmer izolačné vlastnosti a je ťažké pretekať všeobecný prúd. Ale potom elektrické pole medzi odtokom - zdrojom, v skutočnosti dvoma prechodovými vrstvami kontaktujú drenáž a hradlový pól blízko spodnej časti, pretože driftové elektrické pole ťahá vysokorýchlostné elektróny cez prechodovú vrstvu. Intenzita driftového poľa je takmer konštantná a vytvára plnosť ID scény.

Obvod využíva kombináciu vylepšeného P-kanálového MOSFET a vylepšeného N-kanálového MOSFET. Keď je vstup nízky, P-kanál MOSFET vedie a výstup je pripojený ku kladnej svorke napájacieho zdroja. Keď je vstup vysoký, N-kanálový MOSFET vedie a výstup je pripojený k zemi napájacieho zdroja. V tomto obvode P-kanálový MOSFET a N-kanálový MOSFET vždy pracujú v opačných stavoch, pričom ich fázové vstupy a výstupy sú obrátené.