Stručne porozprávajte o spôsobe výroby vysokovýkonného zariadenia na odvod tepla MOSFET

Zariadenie na odvádzanie tepla obsahuje puzdro 100 s dutou štruktúrou a dosku 101 s obvodmi. Doska 101 s obvodmi je usporiadaná v puzdre 100. Množstvo vedľa seba umiestnených MOSFET 102 je pripojených k obom koncom obvodovej dosky 101 pomocou kolíkov. Zahŕňa tiež tlakový blok 103 na odvádzanie tepla na stláčanie MOSFETu 102 tak, že MOSFET 102 je blízko vnútornej steny krytu 100. Tlakový blok 103 na odvádzanie tepla má prvý kanál 104 cirkulujúcej vody, ktorý ním prechádza. Prvý cirkulačný vodný kanál 104 je vertikálne usporiadaný s niekoľkými MOSFETmi 102 vedľa seba.
Tlakový blok 103 na odvádzanie tepla tlačí MOSFET 102 proti vnútornej stene krytu 100 a časť tepla MOSFET 102 je vedená do krytu 100. Ďalšia časť tepla je vedená do bloku 103 na odvádzanie tepla a puzdro 100 odvádza teplo do vzduchu. Teplo z bloku 103 na odvádzanie tepla je odoberané chladiacou vodou v prvom kanáli 104 cirkulujúcej vody, čo zlepšuje účinok odvádzania tepla tranzistorom MOSFET 102. Súčasne časť tepla generovaného inými komponentmi v kryte 100 je tiež vedený do tlakového bloku 103 na odvádzanie tepla. Preto môže tlakový blok 103 na odvádzanie tepla ďalej znižovať teplotu v kryte. 100 a zlepšiť pracovnú účinnosť a životnosť ostatných komponentov v kryte 100; Kryt 100 má dutú štruktúru, takže teplo sa v kryte 100 neakumuluje ľahko, čím sa bráni prehriatiu a vyhoreniu dosky 101 s obvodmi. Bočná stena krytu 100 je vybavená druhým kanálom 105 cirkulujúcej vody rovnobežným s prvým kanálom 104 cirkulujúcej vody a druhý kanál 105 cirkulujúcej vody je blízko zodpovedajúceho MOSFET 102. Vonkajšia stena puzdra 100 je vybavená drážkou 108 na odvádzanie tepla. Teplo skrine 100 je odvádzané hlavne cez chladiacu vodu v druhom kanáli 105 cirkulujúcej vody. Ďalšia časť tepla je odvádzaná cez drážku 108 na odvádzanie tepla, čo zlepšuje účinok odvádzania tepla krytu 100. Tlakový blok 103 na odvádzanie tepla je vybavený niekoľkými závitovými otvormi 107. Prítlačný blok 103 na odvádzanie tepla je pevne pripojený k vnútornú stenu krytu 100 cez skrutky. Skrutky sú zaskrutkované do závitových otvorov tlakového bloku 103 na odvádzanie tepla zo závitových otvorov na bočných stenách krytu 100.

V tomto vynáleze spojovací kus 109 vyčnieva z okraja tlakového bloku 103 na odvádzanie tepla. Spojovací kus 109 je vybavený množstvom závitových otvorov 107. Spojovací kus 109 je pevne pripojený k vnútornej stene puzdra 100. cez skrutky. Na oboch stranách vnútornej steny puzdra 100 sú umiestnené oporné tyče 106 na podopretie dosky 101 s plošnými spojmi. Keď je tlakový blok 103 na odvádzanie tepla pevne pripojený k vnútornej stene puzdra 100, doska 101 s plošnými spojmi je zatlačená medzi bočné steny tlakového bloku 103 na odvádzanie tepla a nosné tyče 106. Počas inštalácie sa doska 101 plošných spojov najprv umiestni na povrch oporná tyč 106 a spodok prítlačného bloku 103 na odvádzanie tepla sa pritlačí na horný povrch dosky 101 s obvodmi. Potom sa prítlačný blok 103 na odvádzanie tepla pripevní k vnútornej stene puzdra 100 skrutkami. Medzi tlakovým blokom 103 na odvádzanie tepla a nosnou tyčou 106 je vytvorená upínacia drážka na upnutie dosky 101 s obvodmi, aby sa uľahčila inštalácia a odstránenie dosky 101 s plošnými spojmi. Súčasne je doska 101 s plošnými spojmi blízko odvodu tepla. tlakový blok 103 . Preto sa teplo generované doskou 101 s obvodmi vedie do tlakového bloku 103 na odvádzanie tepla a tlakový blok 103 na odvádzanie tepla je odvádzaný chladiacou vodou v prvom kanáli 104 cirkulujúcej vody, čím sa zabraňuje prehriatiu dosky 101 s obvodmi. a pálenie. Výhodne je izolačná fólia umiestnená medzi MOSFET 102 a vnútornou stenou krytu 100 a izolačná fólia je umiestnená medzi tlakovým blokom 103 rozptylu tepla a MOSFET 102.

Zariadenie na odvádzanie tepla MOSFET s vysokým výkonom obsahuje puzdro 200 s dutou štruktúrou a dosku 202 s obvodmi. Doska 202 s obvodmi je usporiadaná v puzdre 200. K obom koncom obvodu je pripojených niekoľko MOSFET 202 vedľa seba. doskou 202 cez kolíky a tiež obsahuje tlakový blok 203 na odvádzanie tepla na stláčanie MOSFETov 202 tak, aby MOSFETy 202 sú blízko vnútornej steny puzdra 200 . Prvý cirkulačný vodný kanál 204 prechádza cez tlakový blok 203 na odvod tepla. Prvý cirkulačný vodný kanál 204 je vertikálne usporiadaný s niekoľkými vedľa seba umiestnenými MOSFET 202. Bočná stena plášťa je vybavená rúrkou 205 na odvádzanie tepla kolmou prvý kanál 204 cirkulujúcej vody a jeden koniec rúrky 205 na odvádzanie tepla sú vybavené teplom teleso na odvádzanie tepla 206. Druhý koniec je uzavretý a teleso 206 na odvádzanie tepla a rúrka na odvádzanie tepla 205 tvoria uzavretú vnútornú dutinu a vo vnútornej dutine je umiestnené chladivo. MOSFET 202 generuje teplo a odparuje chladivo. Pri odparovaní absorbuje teplo z ohrievacieho konca (v blízkosti konca MOSFET 202) a potom prúdi z ohrievacieho konca do chladiaceho konca (preč od konca MOSFET 202). Keď sa na chladiacom konci stretne s chladom, uvoľňuje teplo na vonkajší obvod steny rúrky. Kvapalina potom prúdi do ohrievacieho konca, čím vytvára okruh na odvod tepla. Toto odvádzanie tepla odparovaním a kvapalinou je oveľa lepšie ako odvádzanie tepla konvenčnými tepelnými vodičmi. Teleso 206 na odvádzanie tepla obsahuje krúžok 207 na odvádzanie tepla pevne pripojený k rúrke 205 na odvádzanie tepla a rebro na odvádzanie tepla 208 pevne pripojené k krúžku na odvádzanie tepla 207; rebro 208 na odvádzanie tepla je tiež pevne spojené s chladiacim ventilátorom 209.

Krúžok 207 na odvádzanie tepla a rúrka 205 na odvádzanie tepla majú dlhú montážnu vzdialenosť, takže krúžok 207 na odvádzanie tepla môže rýchlo prenášať teplo v rúrke 205 na odvádzanie tepla do chladiča 208, aby sa dosiahol rýchly odvod tepla.