Analýza vylepšenia a vyčerpania MOSFETov

D-FET je v predpätí brány 0, keď existencia kanála môže viesť FET; E-FET je v predpätí brány 0, keď nie je k dispozícii žiadny kanál, nemôže viesť FET. tieto dva typy FET majú svoje vlastné charakteristiky a použitie. Vo všeobecnosti je vylepšený FET vo vysokorýchlostných obvodoch s nízkym výkonom veľmi cenný; a toto zariadenie funguje, je to polarita predpätia brány voltage a odtok rovnaké napätie, je to pohodlnejšie pri návrhu obvodu.

Takzvané vylepšené prostriedky: keď je trubica VGS = 0 odrezaný stav, plus správna VGS, väčšina nosičov je priťahovaná k bráne, čím sa nosiče v oblasti "vylepšujú" a vytvárajú vodivý kanál. n-kanálový vylepšený MOSFET je v podstate ľavo-pravá symetrická topológia, čo je polovodič typu P na generovaní vrstvy izolácie z filmu SiO2. Vytvára izolačnú vrstvu filmu SiO2 na polovodiči typu P a potom difunduje dve vysoko dotované oblasti typu Nfotolitografia, a vedie elektródy z oblasti typu N, jednu pre zvod D a jednu pre zdroj S. Na izolačnú vrstvu medzi zdrojom a zvodom je nanesená vrstva kovového hliníka ako hradlo G. Keď VGS = 0 V , medzi kolektorom a zdrojom je pomerne veľa diód s diódami back-to-back a napätie medzi D a S netvorí prúd medzi D a S. Prúd medzi D a S nie je tvorený priloženým napätím .

Keď sa pripočíta hradlové napätie, ak je 0 < VGS < VGS(th), cez kapacitné elektrické pole vytvorené medzi bránou a substrátom sa polyónové diery v polovodiči typu P v blízkosti spodnej časti brány odpudzujú smerom nadol a objaví sa tenká vrstva negatívnych iónov; súčasne bude priťahovať oligoóny v nich, aby sa presunuli do povrchovej vrstvy, ale počet je obmedzený a nedostatočný na vytvorenie vodivého kanála, ktorý spája odtok a zdroj, takže je stále nedostatočný na vytvorenie ID odtokového prúdu. ďalšie zvýšenie VGS, keď VGS > VGS (th) (VGS (th) sa nazýva zapínacie napätie), pretože v tomto čase bolo hradlové napätie pomerne silné, v povrchovej vrstve polovodiča typu P v blízkosti spodnej časti hradla pod zhromaždením ďalších elektróny, môžete vytvoriť priekopu, odtok a zdroj komunikácie. Ak sa v tomto čase pridá napätie zdroja odberu, môže sa vytvoriť ID odberu. elektróny vo vodivom kanáli vytvorenom pod hradlom, pretože nosný otvor s polovodičom typu P je opačná, preto sa nazýva antitypová vrstva. Keďže VGS sa neustále zvyšuje, ID sa bude naďalej zvyšovať. ID = 0 pri VGS = 0V a odberový prúd nastáva až po VGS > VGS(th), takže tento typ MOSFET sa nazýva vylepšený MOSFET.

Riadiaci vzťah VGS na odberovom prúde možno opísať krivkou iD = f(VGS(th))|VDS=const, ktorá sa nazýva krivka prenosovej charakteristiky, a veľkosťou sklonu krivky prenosovej charakteristiky gm, odráža riadenie odtokového prúdu napätím zdroja hradla. veľkosť gm je mA/V, preto sa gm nazýva aj transkonduktancia.