O princípe fungovania výkonového MOSFET

Existuje mnoho variácií symbolov obvodov bežne používaných pre MOSFETy. Najbežnejším dizajnom je priama čiara predstavujúca kanál, dve čiary kolmé na kanál predstavujúce zdroj a odtok a kratšia čiara rovnobežná s kanálom na ľavej strane predstavujúca bránu. Niekedy je priamka predstavujúca kanál nahradená prerušovanou čiarou, aby sa rozlíšil režim vylepšeniamosfet alebo mosfet v režime vyčerpania, ktorý je tiež rozdelený na N-kanálový MOSFET a P-kanálový MOSFET dva typy symbolov obvodu, ako je znázornené na obrázku (smer šípky je iný).

Výkonové MOSFETy fungujú dvoma hlavnými spôsobmi:

(1) Keď sa k D a S pridá kladné napätie (odvod kladný, záporný zdroj) a UGS=0, prechod PN v oblasti tela P a oblasti odtoku N je opačne zaujatý a medzi D neprechádza žiadny prúd. a S. Ak sa medzi G a S pridá kladné napätie UGS, nebude prúdiť hradlový prúd, pretože hradlo je izolované, ale kladné napätie na hradle vytlačí diery preč z oblasti P pod ním a menšinové nosné elektróny budú byť priťahovaný k povrchu oblasti P Keď je UGS väčšie ako určité napätie UT, koncentrácia elektrónov na povrchu oblasti P pod hradlom presiahne koncentráciu diery, čím sa polovodičová vrstva typu P stane protivzorkovou vrstvou typu N polovodič; táto antipattern vrstva tvorí kanál typu N medzi zdrojom a odtokom, takže PN prechod zmizne, zdroj a odtok sú vodivé a odtokom preteká drenážny prúd ID. UT sa nazýva zapínacie napätie alebo prahové napätie a čím viac UGS presahuje UT, tým je vodivá schopnosť vodivosti a tým väčšia je ID. Čím viac UGS presahuje UT, tým silnejšia je vodivosť, tým väčšia je ID.

(2) Keď D, S plus záporné napätie (zdroj kladný, odtok záporný), PN prechod je predpätý, čo zodpovedá vnútornej spätnej dióde (nemá charakteristiku rýchlej odozvy), t.j.MOSFET nemá schopnosť spätného blokovania, možno ho považovať za komponenty s inverznou vodivosťou.

PodľaMOSFET princíp činnosti je vidieť, na jeho vedení sa podieľa len jeden nosič polarity vo vodivý, tak známy aj ako unipolárny tranzistor. Pohon MOSFET je často založený na napájaní IC a parametre MOSFET pre výber vhodného obvodu, MOSFET sa všeobecne používa na spínanie napájací obvod pohonu. Pri navrhovaní spínaného zdroja pomocou MOSFET väčšina ľudí berie do úvahy odpor pri zapnutí, maximálne napätie a maximálny prúd MOSFET. Ľudia však veľmi často berú do úvahy len tieto faktory, aby obvod mohol správne fungovať, no nie je to dobré konštrukčné riešenie. Pre podrobnejší návrh by mal MOSFET zvážiť aj informácie o vlastných parametroch. Pre jednoznačný MOSFET jeho budiaci obvod, špičkový prúd na výstupe meniča atď. ovplyvnia spínací výkon MOSFETu.