WST4041 P-kanál -40V -6A SOT-23-3L MOSFET WINSOK

WST4041 P-kanál -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET Odporúčaný obrázok

Stručný opis:

Číslo modelu:WST4041

BVDSS:-40 V

RDSON:30 mΩ

ID:-6A

kanál:P-kanál

Balíček:SOT-23-3L

Letný produkt:MOSFET WST4041 má napätie -40V, prúd -6A, odpor 30mΩ, P-Channel a balenie SOT-23-3L.

Aplikácie:Elektronické cigarety, ovládače, digitálne produkty, malé spotrebiče, spotrebná elektronika.

Pošlite nám e-mail PDF

Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Všeobecný popis

WST4041 je výkonný P-kanálový MOSFET navrhnutý na použitie v synchrónnych buck prevodníkoch.Má vysokú hustotu buniek, ktorá umožňuje vynikajúce nabíjanie RDSON a brány.WST4041 spĺňa požiadavky noriem RoHS a Green Product a prichádza so 100% zárukou EAS pre spoľahlivý výkon.

Vlastnosti

Advanced Trench Technology sa vyznačuje vysokou hustotou buniek a super nízkym hradlovým nábojom, čo výrazne znižuje CdV/dt efekt.Naše zariadenia sa dodávajú so 100% zárukou EAS a možnosťami šetrnými k životnému prostrediu.

Aplikácie

Vysokofrekvenčný synchrónny konvertor s bodom zaťaženia, sieťový DC-DC napájací systém, spínač záťaže, elektronické cigarety, ovládače, digitálne zariadenia, malé domáce spotrebiče a spotrebná elektronika.

zodpovedajúce číslo materiálu

AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

Dôležité parametre

Symbol	Parameter	Hodnotenie	Jednotky
VDS	Napätie odtokového zdroja	-40	V
VGS	Napätie zdroja brány	±20	V
ID@TC=25°C	Trvalý odtokový prúd, VGS @ -10V1	-6,0	A
ID@TC=100 °C	Trvalý odtokový prúd, VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Impulzný vypúšťací prúd2	-24	A
EAS	Lavínová energia jedného impulzu 3	12	mJ
IAS	Lavínový prúd	-7	A
PD@TC = 25 °C	Celková strata energie 4	1.4	W
TSTG	Rozsah skladovacích teplôt	-55 až 150	℃
TJ	Rozsah teplôt prevádzkového spoja	-55 až 150	℃

Symbol	Parameter	Podmienky	Min.	Typ.	Max.	Jednotka
BVDSS	Prierazné napätie odtokového zdroja	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS teplotný koeficient	Odkaz na 25 °C, ID = -1 mA	---	-0,03	---	V/℃
RDS (ZAP.)	Odpor zdroja statického odtoku2	VGS=-10V, ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS (ZAP.)	Odpor zdroja statického odtoku2	VGS = -4,5 V, ID = -1 A	---	40	58	mΩ
VGS(th)	Prahové napätie brány	VGS=VDS, ID=-250uA	-0,8	-1.2	-2.2	V
△VGS(th)	VGS(th) teplotný koeficient	VGS=VDS, ID=-250uA	---	4.56	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = -28 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Dopredná transkonduktancia	VDS=-5V, ID=-3A	---	15	---	S
Rg	Odolnosť brány	VDS=0V, VGS=0V, f=1 MHz	---	3.8	---	Ω
Qg	Celkové nabitie brány (-4,5 V)	VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A	---	9.5	---	nC
Qgs	Poplatok za zdroj brány		---	1.7	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.0	---
Td(on)	Čas oneskorenia zapnutia	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	Čas vzostupu		---	10	---
Td (vypnuté)	Čas oneskorenia vypnutia		---	18	---
Tf	Jeseň		---	8	---
Ciss	Vstupná kapacita	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	420	---	pF
Coss	Výstupná kapacita		---	77	---
Crss	Kapacita spätného prenosu		---	55	---