WST4041 P-kanál -40V -6A SOT-23-3L MOSFET WINSOK

produktov

WST4041 P-kanál -40V -6A SOT-23-3L MOSFET WINSOK

krátky popis:


  • Číslo modelu:WST4041
  • BVDSS:-40 V
  • RDSON:30 mΩ
  • ID:-6A
  • kanál:P-kanál
  • Balíček:SOT-23-3L
  • Letný produkt:MOSFET WST4041 má napätie -40V, prúd -6A, odpor 30mΩ, P-Channel a balenie SOT-23-3L.
  • Aplikácie:Elektronické cigarety, ovládače, digitálne produkty, malé spotrebiče, spotrebná elektronika.
  • Detail produktu

    Aplikácia

    Štítky produktu

    Všeobecný popis

    WST4041 je výkonný P-kanálový MOSFET navrhnutý na použitie v synchrónnych buck prevodníkoch. Má vysokú hustotu buniek, ktorá umožňuje vynikajúce nabíjanie RDSON a brány. WST4041 spĺňa požiadavky noriem RoHS a Green Product a prichádza so 100% zárukou EAS pre spoľahlivý výkon.

    Vlastnosti

    Advanced Trench Technology sa vyznačuje vysokou hustotou buniek a super nízkym hradlovým nábojom, čo výrazne znižuje CdV/dt efekt. Naše zariadenia sa dodávajú so 100% zárukou EAS a možnosťami šetrnými k životnému prostrediu.

    Aplikácie

    Vysokofrekvenčný synchrónny konvertor s bodom zaťaženia, sieťový DC-DC napájací systém, spínač záťaže, elektronické cigarety, ovládače, digitálne zariadenia, malé domáce spotrebiče a spotrebná elektronika.

    zodpovedajúce číslo materiálu

    AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

    Dôležité parametre

    Symbol Parameter Hodnotenie Jednotky
    VDS Napätie odtokového zdroja -40 V
    VGS Napätie zdroja brány ±20 V
    ID@TC=25°C Trvalý odtokový prúd, VGS @ -10V1 -6,0 A
    ID@TC=100 °C Trvalý odtokový prúd, VGS @ -10V1 -4.5 A
    IDM Impulzný vypúšťací prúd2 -24 A
    EAS Lavínová energia jedného impulzu 3 12 mJ
    IAS Lavínový prúd -7 A
    PD@TC = 25 °C Celková strata energie 4 1.4 W
    TSTG Rozsah skladovacích teplôt -55 až 150
    TJ Rozsah teplôt prevádzkového spoja -55 až 150
    Symbol Parameter Podmienky Min. Typ. Max. Jednotka
    BVDSS Prierazné napätie odtokového zdroja VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS teplotný koeficient Odkaz na 25 °C, ID = -1 mA --- -0,03 --- V/℃
    RDS (ZAP.) Odpor zdroja statického odtoku2 VGS=-10V, ID=-3A --- 30 40
    VGS = -4,5 V, ID = -1 A --- 40 58
    VGS(th) Prahové napätie brány VGS=VDS, ID=-250uA -0,8 -1.2 -2.2 V
    △VGS(th) VGS(th) teplotný koeficient --- 4.56 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS = -28 V, VGS = 0 V, TJ = 55 °C --- --- 5
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Dopredná transkonduktancia VDS=-5V, ID=-3A --- 15 --- S
    Rg Odolnosť brány VDS=0V, VGS=0V, f=1 MHz --- 3.8 --- Ω
    Qg Celkové nabitie brány (-4,5 V) VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A --- 9.5 --- nC
    Qgs Poplatok za zdroj brány --- 1.7 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.0 ---
    Td(on) Čas oneskorenia zapnutia VDD=-15V, VGS=-10V,

    RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω

    --- 8 --- ns
    Tr Čas vzostupu --- 10 ---
    Td (vypnuté) Čas oneskorenia vypnutia --- 18 ---
    Tf Jeseň --- 8 ---
    Ciss Vstupná kapacita VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 420 --- pF
    Coss Výstupná kapacita --- 77 ---
    Crss Kapacita spätného prenosu --- 55 ---

  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju