WST2088A N-kanál 20V 7,5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

krátky popis:

Číslo modelu:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10,7 mΩ

ID:7,5A

kanál:N-kanál

Balíček:SOT-23-3L

Letný produkt:Napätie WST2088A MOSFET je 20V, prúd je 7,5A, odpor je 10,7mΩ, kanál je N-kanál a balenie je SOT-23-3L.

Aplikácie:Elektronické cigarety, ovládače, digitálne produkty, malé domáce spotrebiče, spotrebná elektronika atď.

Pošlite nám e-mail PDF

Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Všeobecný popis

WST2088A je najvýkonnejší priekopový N-ch MOSFET s extrémne vysokou hustotou buniek, ktorý poskytuje vynikajúce RDSON a nabíjanie brány pre väčšinu aplikácií spínania malého výkonu a prepínačov záťaže. WST2088A spĺňa požiadavky RoHS a Green Product so schválenou plnou funkčnou spoľahlivosťou.

Vlastnosti

Pokročilá technológia Trench s vysokou hustotou buniek, Super Low Gate Charge, vynikajúci pokles Cdv/dt efektu, zelené zariadenie k dispozícii

Aplikácie

Aplikácia prepínania napájania, pevne spínané a vysokofrekvenčné obvody, neprerušiteľný zdroj napájania, elektronické cigarety, ovládače, digitálne produkty, malé domáce spotrebiče, spotrebná elektronika atď.

zodpovedajúce číslo materiálu

AO AO3416, ON NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN atď.

Dôležité parametre

Elektrické vlastnosti (TJ=25 ℃, ak nie je uvedené inak)

Symbol	Parameter	Hodnotenie	Jednotky
VDS	Napätie odtokového zdroja	20	V
VGS	Napätie zdroja brány	±12	V
ID@Tc=25°C	Trvalý odtokový prúd, VGS @ 4,5 V	7.5	A
ID@Tc=70 °C	Trvalý odtokový prúd, VGS @ 4,5 V	4.5	A
IDP	Pulzný odtokový prúd	24	A
PD@TA = 25 °C	Celková strata energie	1.25	W
TSTG	Rozsah skladovacích teplôt	-55 až 150	℃
TJ	Rozsah teplôt prevádzkového spoja	-55 až 150	℃

Symbol	Parameter	Podmienky	Min.	Typ.	Max.	Jednotka
BVDSS	Prierazné napätie odtokového zdroja	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS teplotný koeficient	Referenčná hodnota 25 °C, ID = 1 mA	---	0,018	---	V/℃
RDS (ZAP.)	Odpor zdroja statického odtoku2	VGS = 4,5 V, ID = 6 A	---	10.7	14	mΩ
RDS (ZAP.)	Odpor zdroja statického odtoku2					mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 5 A	---	12.8	17
VGS(th)	Prahové napätie brány	VGS=VDS, ID=250uA	0,4	0,63	1.2	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Celkový poplatok za bránu	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Poplatok za zdroj brány		---	1.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.4	---
Td(on)	Čas oneskorenia zapnutia	VDS=10V, VGS=4,5V,RG=3,3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Čas vzostupu		---	15	---
Td (vypnuté)	Čas oneskorenia vypnutia		---	33	---
Tf	Jeseň		---	13	---
Ciss	Vstupná kapacita	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Výstupná kapacita		---	125	---
Crss	Kapacita spätného prenosu		---	90	---