WST2078 N&P kanál 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L MOSFET WINSOK

WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET Odporúčaný obrázok

Stručný opis:

Číslo modelu:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3,8A/-4,5A

kanál:Kanál N&P

Balíček:SOT-23-6L

Letný produkt:MOSFET WST2078 má menovité napätie 20V a -20V.Zvládne prúdy 3,8A a -4,5A a má hodnoty odporu 45mΩ a 65mΩ.MOSFET má funkcie N&P Channel a je dodávaný v balení SOT-23-6L.

Aplikácie:Elektronické cigarety, ovládače, digitálne produkty, spotrebiče a spotrebná elektronika.

Pošlite nám e-mail PDF

Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Všeobecný popis

WST2078 je najlepší MOSFET pre malé výkonové spínače a záťažové aplikácie.Má vysokú hustotu buniek, ktorá poskytuje vynikajúce RDSON a nabíjanie brány.Spĺňa požiadavky RoHS a Green Product a bol schválený pre plnú funkčnú spoľahlivosť.

Vlastnosti

Pokročilá technológia s vysokou hustotou buniek, extrémne nízkym nábojom brány a vynikajúcou redukciou Cdv/dt efektov.Toto zariadenie je navyše šetrné k životnému prostrediu.

Aplikácie

Vysokofrekvenčné synchrónne prepínanie malého výkonu v bode zaťaženia je ideálne na použitie v MB/NB/UMPC/VGA, sieťových DC-DC napájacích systémoch, záťažových spínačoch, elektronických cigaretách, ovládačoch, digitálnych produktoch, malých domácich spotrebičoch a spotrebiteľoch. elektronika.

zodpovedajúce číslo materiálu

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Dôležité parametre

Symbol	Parameter	Hodnotenie		Jednotky
Symbol	Parameter	N-kanál	P-kanál	Jednotky
VDS	Napätie odtokového zdroja	20	-20	V
VGS	Napätie zdroja brány	±12	±12	V
ID@Tc=25°C	Trvalý odtokový prúd, VGS @ 4,5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc = 70 °C	Trvalý odtokový prúd, VGS @ 4,5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Impulzný vypúšťací prúd2	20	-13	A
PD@TA = 25 °C	Celková strata energie 3	1.4	1.4	W
TSTG	Rozsah skladovacích teplôt	-55 až 150	-55 až 150	℃
TJ	Rozsah teplôt prevádzkového spoja	-55 až 150	-55 až 150	℃

Symbol	Parameter	Podmienky	Min.	Typ.	Max.	Jednotka
BVDSS	Prierazné napätie odtokového zdroja	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS teplotný koeficient	Odkaz na 25 °C, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS (ZAP.)	Odpor zdroja statického odtoku2	VGS = 4,5 V, ID = 3 A	---	45	55	mΩ
		VGS = 2,5 V, ID = 1 A	---	60	80
		VGS = 1,8 V, ID = 1 A	---	85	120
VGS(th)	Prahové napätie brány	VGS=VDS, ID=250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) teplotný koeficient	VGS=VDS, ID=250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Dopredná transkonduktancia	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Odolnosť brány	VDS=0V, VGS=0V, f=1 MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Celkové nabitie brány (4,5 V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Poplatok za zdroj brány		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.1	---
Td(on)	Čas oneskorenia zapnutia	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Čas vzostupu		---	13	23
Td (vypnuté)	Čas oneskorenia vypnutia		---	15	28
Tf	Jeseň		---	3	5.5
Ciss	Vstupná kapacita	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Výstupná kapacita		---	51	---
Crss	Kapacita spätného prenosu		---	52	---