WST2078 N&P kanál 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L MOSFET WINSOK

produktov

WST2078 N&P kanál 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L MOSFET WINSOK

krátky popis:


  • Číslo modelu:WST2078
  • BVDSS:20V/-20V
  • RDSON:45mΩ/65mΩ
  • ID:3,8A/-4,5A
  • kanál:Kanál N&P
  • Balíček:SOT-23-6L
  • Letný produkt:MOSFET WST2078 má menovité napätie 20V a -20V. Zvládne prúdy 3,8A a -4,5A a má hodnoty odporu 45mΩ a 65mΩ. MOSFET má funkcie N&P Channel a je dodávaný v balení SOT-23-6L.
  • Aplikácie:Elektronické cigarety, ovládače, digitálne produkty, spotrebiče a spotrebná elektronika.
  • Detail produktu

    Aplikácia

    Štítky produktu

    Všeobecný popis

    WST2078 je najlepší MOSFET pre malé výkonové spínače a záťažové aplikácie. Má vysokú hustotu buniek, ktorá poskytuje vynikajúce RDSON a nabíjanie brány. Spĺňa požiadavky RoHS a Green Product a bol schválený pre plnú funkčnú spoľahlivosť.

    Vlastnosti

    Pokročilá technológia s vysokou hustotou buniek, extrémne nízkym nábojom brány a vynikajúcou redukciou Cdv/dt efektov. Toto zariadenie je navyše šetrné k životnému prostrediu.

    Aplikácie

    Vysokofrekvenčné synchrónne prepínanie malého výkonu v bode zaťaženia je ideálne na použitie v MB/NB/UMPC/VGA, sieťových DC-DC napájacích systémoch, záťažových spínačoch, elektronických cigaretách, ovládačoch, digitálnych produktoch, malých domácich spotrebičoch a spotrebiteľoch. elektronika.

    zodpovedajúce číslo materiálu

    AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

    Dôležité parametre

    Symbol Parameter Hodnotenie Jednotky
    N-kanál P-kanál
    VDS Napätie odtokového zdroja 20 -20 V
    VGS Napätie zdroja brány ±12 ±12 V
    ID@Tc=25°C Trvalý odtokový prúd, VGS @ 4,5V1 3.8 -4.5 A
    ID@Tc=70 °C Trvalý odtokový prúd, VGS @ 4,5V1 2.8 -2.6 A
    IDM Impulzný vypúšťací prúd2 20 -13 A
    PD@TA = 25 °C Celková strata energie 3 1.4 1.4 W
    TSTG Rozsah skladovacích teplôt -55 až 150 -55 až 150
    TJ Rozsah teplôt prevádzkového spoja -55 až 150 -55 až 150
    Symbol Parameter Podmienky Min. Typ. Max. Jednotka
    BVDSS Prierazné napätie odtokového zdroja VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS teplotný koeficient Odkaz na 25 °C, ID=1mA --- 0,024 --- V/℃
    RDS (ZAP.) Odpor zdroja statického odtoku2 VGS = 4,5 V, ID = 3 A --- 45 55
    VGS = 2,5 V, ID = 1 A --- 60 80
    VGS = 1,8 V, ID = 1 A --- 85 120
    VGS(th) Prahové napätie brány VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1 V
    △VGS(th) VGS(th) teplotný koeficient --- -2,51 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±8V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Dopredná transkonduktancia VDS=5V, ID=1A --- 8 --- S
    Rg Odolnosť brány VDS=0V, VGS=0V, f=1 MHz --- 2.5 3.5 Ω
    Qg Celkové nabitie brány (4,5 V) VDS=10V, VGS=10V, ID=3A --- 7.8 --- nC
    Qgs Poplatok za zdroj brány --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.1 ---
    Td(on) Čas oneskorenia zapnutia VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=3A RL=10Ω

    --- 2.4 4.3 ns
    Tr Čas vzostupu --- 13 23
    Td (vypnuté) Čas oneskorenia vypnutia --- 15 28
    Tf Jeseň --- 3 5.5
    Ciss Vstupná kapacita VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 450 --- pF
    Coss Výstupná kapacita --- 51 ---
    Crss Kapacita spätného prenosu --- 52 ---

  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju