WSP4888 Dual N-Channel 30V 9,8A SOP-8 MOSFET WINSOK

Produkty

WSP4888 Dual N-Channel 30V 9,8A SOP-8 MOSFET WINSOK

Stručný opis:


  • Číslo modelu:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9,8A
  • kanál:Duálny N-kanál
  • Balíček:SOP-8
  • Letný produkt:Napätie WSP4888 MOSFET je 30V, prúd je 9,8A, odpor je 13,5mΩ, kanál je Dual N-Channel a balenie je SOP-8.
  • Aplikácie:E-cigarety, bezdrôtové nabíjačky, motory, drony, zdravotníctvo, nabíjačky do auta, ovládače, digitálne zariadenia, malé spotrebiče a elektronika pre spotrebiteľov.
  • Detail produktu

    Aplikácia

    Štítky produktu

    Všeobecný popis

    WSP4888 je vysoko výkonný tranzistor s hustou bunkovou štruktúrou, ideálny pre použitie v synchrónnych buck prevodníkoch.Môže sa pochváliť vynikajúcim nabíjaním RDSON a brány, čo z neho robí najlepšiu voľbu pre tieto aplikácie.Okrem toho WSP4888 spĺňa požiadavky RoHS aj Green Product a prichádza so 100% zárukou EAS pre spoľahlivú funkciu.

    Vlastnosti

    Advanced Trench Technology sa vyznačuje vysokou hustotou buniek a super nízkym hradlovým nábojom, čo výrazne znižuje CdV/dt efekt.Naše zariadenia sa dodávajú so 100% zárukou EAS a možnosťami šetrnými k životnému prostrediu.

    Naše MOSFETy podliehajú prísnym opatreniam kontroly kvality, aby sa zabezpečilo, že spĺňajú najvyššie priemyselné štandardy.Každá jednotka je dôkladne testovaná na výkon, odolnosť a spoľahlivosť, čo zaručuje dlhú životnosť produktu.Jeho robustná konštrukcia mu umožňuje odolávať extrémnym pracovným podmienkam a zaisťuje nepretržitú funkčnosť zariadenia.

    Konkurenčné ceny: Napriek svojej vynikajúcej kvalite majú naše MOSFETy vysoko konkurencieschopné ceny, čo poskytuje významné úspory nákladov bez kompromisov vo výkone.Sme presvedčení, že všetci spotrebitelia by mali mať prístup k vysokokvalitným produktom a naša cenová stratégia odráža tento záväzok.

    Široká kompatibilita: Naše MOSFETy sú kompatibilné s rôznymi elektronickými systémami, čo z nich robí všestrannú voľbu pre výrobcov a koncových používateľov.Bezproblémovo sa integruje do existujúcich systémov, čím zvyšuje celkový výkon bez toho, aby si vyžadoval veľké konštrukčné úpravy.

    Aplikácie

    Vysokofrekvenčný bodový synchrónny prevodník na použitie v systémoch MB/NB/UMPC/VGA, sieťových DC-DC napájacích systémoch, prepínačoch záťaže, elektronických cigaretách, bezdrôtových nabíjačkách, motoroch, dronoch, zdravotníckych zariadeniach, nabíjačkách do áut, ovládačoch , digitálne produkty, malé domáce spotrebiče a spotrebná elektronika.

    zodpovedajúce číslo materiálu

    AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H

    Dôležité parametre

    Symbol Parameter Hodnotenie Jednotky
    VDS Napätie odtokového zdroja 30 V
    VGS Napätie zdroja brány ±20 V
    ID@TC=25°C Nepretržitý odtokový prúd, VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70 °C Nepretržitý odtokový prúd, VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM Impulzný vypúšťací prúd2 45 A
    EAS Lavínová energia jedného impulzu 3 25 mJ
    IAS Lavínový prúd 12 A
    PD@TA = 25 °C Celková strata energie 4 2.0 W
    TSTG Rozsah skladovacích teplôt -55 až 150
    TJ Rozsah teplôt prevádzkového spoja -55 až 150
    Symbol Parameter Podmienky Min. Typ. Max. Jednotka
    BVDSS Prierazné napätie odtokového zdroja VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS teplotný koeficient Odkaz na 25 °C, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS (ZAP.) Odpor zdroja statického odtoku2 VGS = 10 V, ID = 8,5 A --- 13.5 18
           
        VGS = 4,5 V, ID = 5 A --- 18 25  
    VGS(th) Prahové napätie brány VGS=VDS, ID=250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) teplotný koeficient   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Dopredná transkonduktancia VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Odolnosť brány VDS=0V, VGS=0V, f=1 MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Celkové nabitie brány (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Poplatok za zdroj brány --- 1.5 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 2.5 ---
    Td(on) Čas oneskorenia zapnutia VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr Čas vzostupu --- 9.2 19
    Td (vypnuté) Čas oneskorenia vypnutia --- 19 34
    Tf Jeseň --- 4.2 8
    Ciss Vstupná kapacita VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Coss Výstupná kapacita --- 98 112
    Crss Kapacita spätného prenosu --- 59 91

  • Predchádzajúce:
  • Ďalšie:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju