WSD80120DN56 N-kanál 85V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produktov

WSD80120DN56 N-kanál 85V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

krátky popis:

Číslo dielu:WSD80120DN56

BVDSS:85V

ID:120A

RDSON:3,7 mΩ

Kanál:N-kanál

Balíček:DFN5X6-8


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie WSD80120DN56 MOSFET je 85V, prúd je 120A, odpor je 3,7mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

MOSFET medicínskeho napätia, MOSFET fotografická technika, drony MOSFET, priemyselné riadiace MOSFET, 5G MOSFET, MOSFET automobilovej elektroniky.

MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek

MOSFET AOS AON6276,AONS62814T.STMikroelektronika MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

85

V

VGS

Brána-Source Napätie

±25

V

ID@TC=25

Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V

120

A

ID@TC= 100

Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V

96

A

IDM

Pulzný odtokový prúd..TC= 25 °C

384

A

EAS

Lavínová energia, jeden impulz, L=0,5 mH

320

mJ

IAS

Lavínový prúd, jeden impulz, L=0,5 mH

180

A

PD@TC=25

Celková strata energie

104

W

PD@TC= 100

Celková strata energie

53

W

TSTG

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 175

TJ

Rozsah teplôt prevádzkového spoja

175

 

Symbol

Parameter

Podmienky

Min.

Typ.

Max.

Jednotka

BVDSS

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS= 0V, ID= 250uA 85

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTeplotný koeficient Odkaz na 25, jaD= 1 mA

---

0,096

---

V/

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku VGS= 10 V, ID= 50A

---

3.7

4.8

mΩ

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, jaD= 250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Teplotný koeficient

---

-5.5

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 85 V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS= 85 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±25V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

Rg

Odolnosť brány VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

3.2

---

Ω

Qg

Celkové nabitie brány (10 V) VDS= 50 V, VGS= 10V, ID= 10A

---

54

---

nC

Qgs

Poplatok za zdroj brány

---

17

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

11

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD= 50 V, VGS= 10V,

RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A.

---

21

---

ns

Tr

Čas vzostupu

---

18

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

36

---

Tf

Jeseň

---

10

---

Ciss

Vstupná kapacita VDS= 40 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

3750

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

395

---

Crss

Kapacita spätného prenosu

---

180

---


  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju