WSD80120DN56 N-kanál 85V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD80120DN56 MOSFET je 85V, prúd je 120A, odpor je 3,7mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
MOSFET medicínskeho napätia, MOSFET fotografická technika, drony MOSFET, priemyselné riadiace MOSFET, 5G MOSFET, MOSFET automobilovej elektroniky.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
MOSFET AOS AON6276,AONS62814T.STMikroelektronika MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parametre MOSFET
Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
VDS | Napätie odtokového zdroja | 85 | V |
VGS | Brána-Source Napätie | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V | 120 | A |
ID@TC= 100℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V | 96 | A |
IDM | Pulzný odtokový prúd..TC= 25 °C | 384 | A |
EAS | Lavínová energia, jeden impulz, L=0,5 mH | 320 | mJ |
IAS | Lavínový prúd, jeden impulz, L=0,5 mH | 180 | A |
PD@TC=25℃ | Celková strata energie | 104 | W |
PD@TC= 100℃ | Celková strata energie | 53 | W |
TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 175 | ℃ |
TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | 175 | ℃ |
Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 85 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotný koeficient | Odkaz na 25℃, jaD= 1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku | VGS= 10 V, ID= 50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 85 V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS= 85 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±25V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Odolnosť brány | VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | Celkové nabitie brány (10 V) | VDS= 50 V, VGS= 10V, ID= 10A | --- | 54 | --- | nC |
Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 17 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11 | --- | ||
Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 50 V, VGS= 10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
Tr | Čas vzostupu | --- | 18 | --- | ||
Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 36 | --- | ||
Tf | Jeseň | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 40 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 3750 | --- | pF |
Coss | Výstupná kapacita | --- | 395 | --- | ||
Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 180 | --- |