WSD80100DN56 N-kanál 80V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produktov

WSD80100DN56 N-kanál 80V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

krátky popis:

Číslo dielu:WSD80100DN56

BVDSS:80 V

ID:100A

RDSON:6,1 mΩ

Kanál:N-kanál

Balíček:DFN5X6-8


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie WSD80100DN56 MOSFET je 80V, prúd je 100A, odpor je 6,1mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

Drony MOSFET, motory MOSFET, MOSFET automobilovej elektroniky, MOSFET hlavné spotrebiče.

MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek

MOSFET AOS AON6276,AONS62814T.STMikroelektronika MOSFET STL1N8F7.POTENS Polovodičový MOSFET PDC7966X.

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

80

V

VGS

Brána-Source Napätie

±20

V

TJ

Maximálna teplota spoja

150

°C

ID

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 150

°C

ID

Nepretržitý odtokový prúd, VGS= 10V,TC= 25 °C

100

A

Nepretržitý odtokový prúd, VGS= 10V,TC= 100 °C

80

A

IDM

Pulzný odtokový prúd, TC= 25 °C

380

A

PD

Maximálny stratový výkon, TC= 25 °C

200

W

RqJC

Tepelný odpor – spojenie s puzdrom

0,8

°C

EAS

Lavínová energia, jeden impulz, L=0,5 mH

800

mJ

 

Symbol

Parameter

Podmienky

Min.

Typ.

Max.

Jednotka

BVDSS

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS= 0V, ID= 250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTeplotný koeficient Odkaz na 25, jaD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS=10V, ID= 40A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, jaD= 250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Teplotný koeficient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Dopredná transkonduktancia VDS= 5V, ID= 20A

80

---

---

S

Qg

Celkové nabitie brány (10 V) VDS= 30 V, VGS= 10V, ID= 30A

---

125

---

nC

Qgs

Poplatok za zdroj brány

---

24

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

30

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD= 30 V, VGS= 10V,

RG= 2,5Ω, jaD= 2A, RL = 15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Čas vzostupu

---

19

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

70

---

Tf

Jeseň

---

30

---

Ciss

Vstupná kapacita VDS= 25V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

4900

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

410

---

Crss

Kapacita spätného prenosu

---

315

---


  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju