WSD60N12GDN56 N-kanál 120V 70A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD60N12GDN56 MOSFET je 120V, prúd je 70A, odpor je 10mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
Zdravotnícka technika MOSFET, drony MOSFET, PD zdroje MOSFET, LED zdroje MOSFET, priemyselné zariadenia MOSFET.
Oblasti použitia MOSFET MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
MOSFET AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.MOSFET PANJIT PSMQC76N12LS1.POTENS Polovodičový MOSFET PDC974X.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 120 | V |
| VGS | Napätie zdroja brány | ±20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Nepretržitý odtokový prúd | 70 | A |
| IDP | Pulzný odtokový prúd | 150 | A |
| EAS | Lavínová energia, jeden impulz | 53,8 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Celková strata energie | 140 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 120 | --- | --- | V |
| Odpor zdroja statického odtoku | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS (ZAP.) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Celkové nabitie brány (10 V) | VDS= 50 V, VGS= 10V, ID= 25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 50 V, VGS= 10V, RG= 2Ω, ID= 25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 10 | --- | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Jeseň | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 50 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 11 | --- | ||
| IS | Nepretržitý zdrojový prúd | VG=VD=0V, Silový prúd | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Pulzný zdrojový prúd | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Predné napätie diódy | VGS= 0V, IS= 12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Čas spätného zotavenia | IF = 25 A, dl/dt = 100 A/us, TJ= 25 ℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Obrátený poplatok za obnovenie | --- | 135 | --- | nC |
