WSD6070DN56 N-kanál 60V 80A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD6070DN56 MOSFET je 60V, prúd je 80A, odpor je 7,3mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, motory MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET autonabíjačky, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET pre malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 60 | V |
| VGS | Brána-Source Napätie | ±20 | V |
| TJ | Maximálna teplota spoja | 150 | °C |
| ID | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | °C |
| IS | Diódový spojitý dopredný prúd,TC= 25 °C | 80 | A |
| ID | Nepretržitý odtokový prúd, VGS= 10V,TC= 25 °C | 80 | A |
| Nepretržitý odtokový prúd, VGS= 10V,TC= 100 °C | 66 | A | |
| IDM | Pulzný odtokový prúd, TC= 25 °C | 300 | A |
| PD | Maximálny stratový výkon, TC= 25 °C | 150 | W |
| Maximálny stratový výkon, TC= 100 °C | 75 | W | |
| RθJA | Tepelný odpor-prepojenie s okolitým prostredím ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Tepelný odpor - spojenie s okolitým prostredím, ustálený stav | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Tepelný odpor – spojenie s puzdrom | 1 | °C/W |
| IAS | Lavínový prúd, jeden impulz, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Lavínová energia, jeden impulz, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotný koeficient | Odkaz na 25℃, jaD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS=10V, ID= 40A | --- | 7,0 | 9,0 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopredná transkonduktancia | VDS= 5V, ID= 20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Odolnosť brány | VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Celkové nabitie brány (10 V) | VDS= 30 V, VGS= 10V, ID= 40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 30 V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jaD= 1A, RL = 15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 10 | --- | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Jeseň | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 30 V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 160 | --- |
