WSD6040DN56 N-kanál 60V 36A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD6040DN56 MOSFET je 60V, prúd je 36A, odpor je 14mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, motory MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET autonabíjačky, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET pre malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMikroelektronika MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Polovodičový MOSFET PDC6964X.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky | ||
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 60 | V | ||
| VGS | Napätie zdroja brány | ±20 | V | ||
| ID | Nepretržitý odtokový prúd | TC = 25 °C | 36 | A | |
| TC = 100 °C | 22 | ||||
| ID | Nepretržitý odtokový prúd | TA = 25 °C | 8.4 | A | |
| TA = 100 °C | 6.8 | ||||
| IDMa | Pulzný odtokový prúd | TC = 25 °C | 140 | A | |
| PD | Maximálna strata výkonu | TC = 25 °C | 37.8 | W | |
| TC = 100 °C | 15.1 | ||||
| PD | Maximálna strata výkonu | TA = 25 °C | 2.08 | W | |
| TA = 70 °C | 1.33 | ||||
| IAS c | Lavínový prúd, jeden impulz | L = 0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Lavínová energia jedného pulzu | L = 0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Nepretržitý dopredný prúd diódy | TC = 25 °C | 18 | A | |
| TJ | Maximálna teplota spoja | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Tepelný odpor Spojenie s okolitým prostredím | Ustálený stav | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Tepelný odpor – spojenie s puzdrom | Ustálený stav | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka | |
| Statické | |||||||
| V(BR)DSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Voltage Odtokový prúd | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | uA | |||
| TJ= 85 °C | 30 | ||||||
| IGSS | Zvodový prúd brány | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| O vlastnostiach | |||||||
| VGS(TH) | Prahové napätie brány | VGS = VDS, IDS = 250 uA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(zapnuté)d | Odolnosť odtokového zdroja v stave | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Prepínanie | |||||||
| Qg | Celkový poplatok za bránu | VDS = 30 V VGS = 10 V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (zapnuté) | Čas oneskorenia pri zapnutí | VGEN = 10 V VDD=30V ID=1A RG = 6Ω RL = 30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Čas vzostupu zapnutia | 9 | ns | ||||
| td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | 58 | ns | ||||
| tf | Čas vypnutia jeseň | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat odpor | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dynamický | |||||||
| Ciss | V kapacite | VGS = 0 V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Out Capacity | 140 | pF | ||||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | 100 | pF | ||||
| Charakteristiky a maximálne hodnoty odtokovej diódy | |||||||
| IS | Nepretržitý zdrojový prúd | VG=VD=0V , Silový prúd | 18 | A | |||
| ISM | Pulzný zdrojový prúd3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Predné napätie diódy | ISD = 20 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Čas spätného zotavenia | ISD= 25A, dlSD/dt=100A/us | 27 | ns | |||
| Qrr | Obrátený poplatok za obnovenie | 33 | nC | ||||
