WSD4280DN22 Dvojkanálový P -15V -4,6A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

produktov

WSD4280DN22 Dvojkanálový P -15V -4,6A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK

krátky popis:

Číslo dielu:WSD4280DN22

BVDSS:-15V

ID:-4,6A

RDSON:47 mΩ 

Kanál:Duálny P-kanál

Balíček:DFN2X2-6L


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie MOSFET WSD4280DN22 je -15V, prúd -4,6A, odpor 47mΩ, kanál je Dual P-channel a balenie je DFN2X2-6L.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

Obojsmerný blokovací spínač; Aplikácie konverzie DC-DC;Nabíjanie Li-batérie;MOSFET e-cigariet, MOSFET bezdrôtové nabíjanie, MOSFET na nabíjanie auta, MOSFET ovládač, MOSFET digitálny produkt, MOSFET pre malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.

MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek

MOSFET PANJIT PJQ2815

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

-15

V

VGS

Napätie zdroja brány

±8

V

ID@Tc= 25 ℃

Nepretržitý odtokový prúd, VGS= -4,5 V1 

-4.6

A

IDM

300μS pulzný vypúšťací prúd, (VGS= -4,5 V)

-15

A

PD 

Zníženie straty výkonu nad TA = 25 °C (Poznámka 2)

1.9

W

TSTG,TJ 

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 150

RθJA

Tepelný odpor Junction-okolie1

65

℃/W

R6JC

Tepelný odpor Junction-Case1

50

℃/W

Elektrické vlastnosti (TJ=25 ℃, ak nie je uvedené inak)

Symbol

Parameter

Podmienky

Min.

Typ.

Max.

Jednotka

BVDSS 

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS= 0V, ID= -250uA

-15

---

---

V

△BVDSS/△TJ

BVDSS teplotný koeficient Odkaz na 25 ℃, ID= -1 mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2  VGS= -4,5 V, ID= -1A

---

47

61

VGS= -2,5 V, ID= -1A

---

61

80

VGS= -1,8 V, ID= -1A

---

90

150

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, jaD= -250uA

-0,4

-0,62

-1.2

V

△VGS(th) 

VGS(th)Teplotný koeficient

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=-10V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃

---

---

-1

uA

VDS=-10V, VGS= 0 V, TJ= 55 °C

---

---

-5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±12V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Dopredná transkonduktancia VDS= -5V, ID= -1A

---

10

---

S

Rg 

Odolnosť brány VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

2

---

Ω

Qg 

Celkové nabitie brány (-4,5 V)

VDS=-10V, VGS= -4,5 V, ID= -4,6 A

---

9.5

---

nC

Qgs 

Poplatok za zdroj brány

---

1.4

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

2.3

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD=-10V,VGS= -4,5 V, RG= 1Ω

ID= -3,9 A,

---

15

---

ns

Tr 

Čas vzostupu

---

16

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

30

---

Tf 

Jeseň

---

10

---

Ciss 

Vstupná kapacita VDS=-10V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

781

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

98

---

Crss 

Kapacita spätného prenosu

---

96

---


  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju