WSD4080DN56 N-kanál 40V 85A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produktov

WSD4080DN56 N-kanál 40V 85A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

krátky popis:

Číslo dielu:WSD4080DN56

BVDSS:40 V

ID:85A

RDSON:4,5 mΩ 

Kanál:N-kanál

Balíček:DFN5X6-8


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie WSD4080DN56 MOSFET je 40V, prúd je 85A, odpor je 4,5mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

Malé spotrebiče MOSFET, ručné spotrebiče MOSFET, motory MOSFET.

MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek

AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Polovodičový MOSFET PDC496X.

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

40

V

VGS

Brána-Source Napätie

±20

V

ID@TC= 25 ℃

Nepretržitý odtokový prúd, VGS @ 10V1

85

A

ID@TC= 100 ℃

Nepretržitý odtokový prúd, VGS @ 10V1

58

A

IDM

Pulzný odtokový prúd2

100

A

EAS

Lavínová energia jedného pulzu3

110,5

mJ

IAS

Lavínový prúd

47

A

PD@TC= 25 ℃

Celková strata energie4

52.1

W

TSTG

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 150

TJ

Rozsah teplôt prevádzkového spoja

-55 až 150

RθJA

Tepelný odpor Spoj-okolie1

62

/W

RθJC

Tepelný odpor Junction-Case1

2.4

/W

 

Symbol

Parameter

Podmienky

Min.

Typ.

Max.

Jednotka

BVDSS

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS=10V, ID=10A

---

4.5

6.5

VGS = 4,5 V, ID = 5 A

---

6.4

8.5

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, ID=250uA

1,0

---

2.5

V

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Dopredná transkonduktancia VDS=10V, ID=5A

---

27

---

S

Qg

Celkové nabitie brány (4,5 V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A

---

20

---

nC

Qgs

Poplatok za zdroj brány

---

5.8

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

9.5

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω

ID=1A

---

15.2

---

ns

Tr

Čas vzostupu

---

8.8

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

74

---

Tf

Jeseň

---

7

---

Ciss

Vstupná kapacita VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

2354

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

215

---

Crss

Kapacita spätného prenosu

---

175

---

IS

Nepretržitý zdrojový prúd1,5 VG=VD=0V, Silový prúd

---

---

70

A

VSD

Predné napätie diódy2 VGS=0V, IS=lA, TJ=25

---

---

1

V


  • Predchádzajúce:
  • Ďalej:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju