WSD4076DN56 N-kanál 40V 76A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Produkty

WSD4076DN56 N-kanál 40V 76A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Stručný opis:

Číslo dielu:WSD4076DN56

BVDSS:40 V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Kanál:N-kanál

Balíček:DFN5X6-8


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie WSD4076DN56 MOSFET je 40V, prúd je 76A, odpor je 6,9mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

Malé spotrebiče MOSFET, ručné spotrebiče MOSFET, motory MOSFET.

MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek

MOSFET STMicroelectronics STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

MOSFET PANJIT PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

40

V

VGS

Brána-Source Napätie

±20

V

ID@TC=25

Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V

76

A

ID@TC= 100

Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V

33

A

IDM

Pulzný odtokový prúda

125

A

EAS

Lavínová energia jedného pulzub

31

mJ

IAS

Lavínový prúd

31

A

PD@Ta=25

Celková strata energie

1.7

W

TSTG

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 150

TJ

Rozsah teplôt prevádzkového spoja

-55 až 150

 

Symbol

Parameter

Podmienky

Min.

Typ.

Max.

Jednotka

BVDSS

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS= 0V, ID= 250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTeplotný koeficient Odkaz na 25, jaD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS=10V, ID= 12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS = 4,5 V, ID= 10A

---

10

15

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, jaD= 250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Teplotný koeficient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Dopredná transkonduktancia VDS= 5V, ID= 20A

---

18

---

S

Rg

Odolnosť brány VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Celkové nabitie brány (10 V) VDS= 20V, VGS= 4,5 V, ID= 12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Poplatok za zdroj brány

---

3.0

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

1.2

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD= 15V, VGEN= 10V, RG= 3,3Ω, jaD= 1A.

---

12

---

ns

Tr

Čas vzostupu

---

5.6

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

20

---

Tf

Jeseň

---

11

---

Ciss

Vstupná kapacita VDS= 15V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

680

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

185

---

Crss

Kapacita spätného prenosu

---

38

---


  • Predchádzajúce:
  • Ďalšie:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju