WSD4018DN22 P-kanál -40V -18A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie MOSFET WSD4018DN22 je -40V, prúd -18A, odpor 26mΩ, kanál je P-kanál a balenie je DFN2X2-6L.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
Pokročilá technológia Trench s vysokou hustotou buniek, Super Low Gate Charge, Vynikajúci pokles Cdv/dt efektu Dostupné zelené zariadenie, MOSFET zariadenia na rozpoznávanie tváre, MOSFET e-cigarety, MOSFET pre malé domáce spotrebiče, MOSFET nabíjačka do auta.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
MOSFET AOS AON2409, MOSFET POTENS PDB3909L
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | -40 | V |
| VGS | Napätie zdroja brány | ±20 | V |
| ID@Tc= 25 ℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc= 70 ℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | 300μS pulzný vypúšťací prúd,VGS= -4,5 V2 | 54 | A |
| PD@Tc= 25 ℃ | Celková strata energie3 | 19 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | -55 až 150 | ℃ |
Elektrické vlastnosti (TJ=25 ℃, ak nie je uvedené inak)
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= -250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS teplotný koeficient | Odkaz na 25 ℃, ID= -1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS= -10V, ID= -8,0 A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS= -4,5 V, ID= -6,0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= -250uA | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= -40V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS= -40V, VGS= 0 V, TJ= 55 °C | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Celkové nabitie brány (-4,5 V) | VDS= -20V, VGS= -10V, ID= -1,5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= -20V, VGS=-10V,RG= 3Ω, RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 11 | --- | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Jeseň | --- | 7.1 | --- | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= -20V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 116 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 97 | --- |
