WSD40120DN56 N-kanál 40V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD40120DN56 MOSFET je 40V, prúd je 120A, odpor je 1,85mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET nabíjačky do auta, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
MOSFET AOS AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,MOSFET FAIRCHILD NVMFS5C442NL.MOSFET VISHAY SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP TPSTOSFET1 MOSFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Polovodičový MOSFET PDC496X.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 40 | V |
| VGS | Brána-Source Napätie | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulzný odtokový prúd2 | 400 | A |
| EAS | Lavínová energia jedného pulzu3 | 240 | mJ |
| IAS | Lavínový prúd | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková strata energie4 | 104 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotný koeficient | Odkaz na 25℃, jaD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS=10V, ID= 30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS = 4,5 V, ID= 20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopredná transkonduktancia | VDS= 5V, ID= 20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Odolnosť brány | VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Celkové nabitie brány (10 V) | VDS= 20V, VGS= 10V, ID= 10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 30 V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jaD= 1A, RL = 15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 10 | 12 | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Jeseň | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 20V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 370 | --- |
