WSD30350DN56G N-kanál 30V 350A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Produkty

WSD30350DN56G N-kanál 30V 350A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Stručný opis:

Číslo dielu:WSD30350DN56G

BVDSS:30V

ID:350A

RDSON:0,48 mΩ 

Kanál:N-kanál

Balíček:DFN5X6-8


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie WSD30350DN56G MOSFET je 30V, prúd je 350A, odpor je 1,8mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET nabíjačky do auta, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

30

V

VGS

Brána-Source Napätie

±20

V

ID@TC=25

Nepretržitý odtokový prúd(Silicon Limited)1,7

350

A

ID@TC= 70

Nepretržitý odtokový prúd (Silicon Limited)1,7

247

A

IDM

Pulzný odtokový prúd2

600

A

EAS

Lavínová energia jedného pulzu3

1800

mJ

IAS

Lavínový prúd

100

A

PD@TC=25

Celková strata energie4

104

W

TSTG

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 150

TJ

Rozsah teplôt prevádzkového spoja

-55 až 150

 

Symbol

Parameter

Podmienky

Min.

Typ.

Max.

Jednotka

BVDSS

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS= 0V, ID= 250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTeplotný koeficient Odkaz na 25, jaD= 1 mA

---

0,022

---

V/

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS= 10V, ID= 20A

---

0,48

0,62

mΩ
VGS= 4,5 V, ID= 20A

---

0,72

0,95

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, jaD= 250uA

1.2

1.5

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Teplotný koeficient

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 24V, VGS= 0 V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS= 24V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±20V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Dopredná transkonduktancia VDS= 5V, ID= 10A

---

40

---

S

Rg

Odolnosť brány VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Celkové nabitie brány (4,5 V) VDS= 15V, VGS= 4,5 V, ID= 20A

---

89

---

nC

Qgs

Poplatok za zdroj brány

---

37

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

20

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD= 15V, VGEN= 10V,

RG=1Ω, jaD= 10A

---

25

---

ns

Tr

Čas vzostupu

---

34

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

61

---

Tf

Jeseň

---

18

---

Ciss

Vstupná kapacita VDS= 15V, VGS= 0 V, f = 1 MHz

---

7845

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

4525

---

Crss

Kapacita spätného prenosu

---

139

---


  • Predchádzajúce:
  • Ďalšie:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju