WSD30350DN56G N-kanál 30V 350A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD30350DN56G MOSFET je 30V, prúd je 350A, odpor je 1,8mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET nabíjačky do auta, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 30 | V |
| VGS | Brána-Source Napätie | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Nepretržitý odtokový prúd(Silicon Limited)1,7 | 350 | A |
| ID@TC= 70℃ | Nepretržitý odtokový prúd (Silicon Limited)1,7 | 247 | A |
| IDM | Pulzný odtokový prúd2 | 600 | A |
| EAS | Lavínová energia jedného pulzu3 | 1800 | mJ |
| IAS | Lavínový prúd | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková strata energie4 | 104 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotný koeficient | Odkaz na 25℃, jaD= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS= 10V, ID= 20A | --- | 0,48 | 0,62 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 0,72 | 0,95 | |||
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 24V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 24V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopredná transkonduktancia | VDS= 5V, ID= 10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Odolnosť brány | VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Celkové nabitie brány (4,5 V) | VDS= 15V, VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 89 | --- | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 37 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 20 | --- | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 15V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jaD= 10A | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 34 | --- | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 61 | --- | ||
| Tf | Jeseň | --- | 18 | --- | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 15V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 7845 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 4525 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 139 | --- |
