WSD30300DN56G N-kanál 30V 300A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Produkty

WSD30300DN56G N-kanál 30V 300A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Stručný opis:

Číslo dielu:WSD30300DN56G

BVDSS:30V

ID:300A

RDSON:0,7 mΩ 

Kanál:N-kanál

Balíček:DFN5X6-8


Detail produktu

Aplikácia

Štítky produktu

Prehľad produktov MOSFET WINSOK

Napätie WSD20100DN56 MOSFET je 20V, prúd je 90A, odpor je 1,6mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.

Oblasti použitia MOSFET WINSOK

Elektronické cigarety MOSFET, drony MOSFET, elektrické náradie MOSFET, palubné pištole MOSFET, PD MOSFET, malé domáce spotrebiče MOSFET.

MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek

MOSFET AOS AON6572.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.

Parametre MOSFET

Symbol

Parameter

Hodnotenie

Jednotky

VDS

Napätie odtokového zdroja

20

V

VGS

Napätie zdroja brány

±12

V

ID@TC= 25 ℃

Nepretržitý odtokový prúd1

90

A

ID@TC= 100 ℃

Nepretržitý odtokový prúd1

48

A

IDM

Pulzný odtokový prúd2

270

A

EAS

Lavínová energia jedného pulzu3

80

mJ

IAS

Lavínový prúd

40

A

PD@TC= 25 ℃

Celková strata energie4

83

W

TSTG

Rozsah skladovacích teplôt

-55 až 150

TJ

Rozsah teplôt prevádzkového spoja

-55 až 150

RθJA

Tepelný odpor Junction-okolie1(t10S)

20

/W

RθJA

Tepelný odpor Junction-okolie1(Ustálený stav)

55

/W

RθJC

Tepelný odpor Junction-case1

1.5

/W

 

Symbol

Parameter

Podmienky

Min

Typ

Max

Jednotka

BVDSS

Prierazné napätie odtokového zdroja VGS=0V, ID=250uA

20

23

---

V

VGS(th)

Prahové napätie brány VGS=VDS, ID=250uA

0,5

0,68

1,0

V

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS=10V, ID=20A

---

1.6

2.0

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS = 4,5 V, ID = 20 A  

1.9

2.5

RDS (ZAP.)

Odpor zdroja statického odtoku2 VGS = 2,5 V, ID = 20 A

---

2.8

3.8

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS=16V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=16V, VGS=0V, TJ=125

---

---

5

IGSS

Gate-Source Leakage Current VGS=±10V, VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

Odolnosť brány VDS=0V, VGS=0V, f=1 MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

Celkové nabitie brány (10 V) VDS=15V, VGS=10V, ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

Poplatok za zdroj brány

---

8.7

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

14

---

Td(on)

Čas oneskorenia zapnutia VDD=15V, VGS=10V, RG=3,

ID = 20A

---

10.2

---

ns

Tr

Čas vzostupu

---

11.7

---

Td (vypnuté)

Čas oneskorenia vypnutia

---

56,4

---

Tf

Jeseň

---

16.2

---

Ciss

Vstupná kapacita VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

---

4307

---

pF

Coss

Výstupná kapacita

---

501

---

Crss

Kapacita spätného prenosu

---

321

---

IS

Nepretržitý zdrojový prúd1,5 VG=VD=0V, Silový prúd

---

---

50

A

VSD

Predné napätie diódy2 VGS=0V, IS=lA, TJ=25

---

---

1.2

V

trr

Čas spätného zotavenia IF=20A, di/dt=100A/µs,

TJ=25

---

22

---

nS

Qrr

Obrátený poplatok za obnovenie

---

72

---

nC


  • Predchádzajúce:
  • Ďalšie:

  • Tu napíšte svoju správu a pošlite nám ju