WSD30160DN56 N-kanál 30V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD30160DN56 MOSFET je 30V, prúd je 120A, odpor je 1,9mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET nabíjačky do auta, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
MOSFET AOS AON6382, AON6384, AON644A, AON6548.
Onsemi, MOSFET FAIRCHILD NTMFS4834N, NTMFS4C5N.
MOSFET TOSHIBA TPH2R93PL.
MOSFET PANJIT PJQ5426.
MOSFET NIKO-SEM PKE1BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 30 | V |
| VGS | Brána-Source Napätie | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Nepretržitý odtokový prúd, VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | Pulzný odtokový prúd2 | 300 | A |
| EAS | Lavínová energia jedného pulzu3 | 128 | mJ |
| IAS | Lavínový prúd | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková strata energie4 | 62,5 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotný koeficient | Odkaz na 25℃, jaD= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS= 10V, ID= 20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 24V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 24V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopredná transkonduktancia | VDS= 5V, ID= 10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Odolnosť brány | VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Celkové nabitie brány (4,5 V) | VDS= 15V, VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 15V, VGEN= 10V, RG=6Ω, jaD= 1A, RL = 15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 23 | --- | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Jeseň | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 15V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 530 | --- |
