WSD25280DN56G N-kanál 25V 280A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Prehľad produktov MOSFET WINSOK
Napätie WSD25280DN56G MOSFET je 25V, prúd je 280A, odpor je 0,7mΩ, kanál je N-kanál a balenie je DFN5X6-8.
Oblasti použitia MOSFET WINSOK
Vysokofrekvenčný bod záťaže synchrónny、Konvertor Buck、Sieťový DC-DC napájací systém、Aplikácia elektrického náradia,E-cigarety MOSFET, bezdrôtové nabíjanie MOSFET, drony MOSFET, MOSFET lekárskej starostlivosti, MOSFET autonabíjačky, ovládače MOSFET, digitálne produkty MOSFET, MOSFET pre malé domáce spotrebiče, MOSFET spotrebnej elektroniky.
MOSFET WINSOK zodpovedá materiálovým číslam iných značiek
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.
Parametre MOSFET
| Symbol | Parameter | Hodnotenie | Jednotky |
| VDS | Napätie odtokového zdroja | 25 | V |
| VGS | Brána-Source Napätie | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Nepretržitý odtokový prúd(Silicon Limited)1,7 | 280 | A |
| ID@TC= 70℃ | Nepretržitý odtokový prúd (Silicon Limited)1,7 | 190 | A |
| IDM | Pulzný odtokový prúd2 | 600 | A |
| EAS | Lavínová energia jedného pulzu3 | 1200 | mJ |
| IAS | Lavínový prúd | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Celková strata energie4 | 83 | W |
| TSTG | Rozsah skladovacích teplôt | -55 až 150 | ℃ |
| TJ | Rozsah teplôt prevádzkového spoja | -55 až 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Podmienky | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| BVDSS | Prierazné napätie odtokového zdroja | VGS= 0V, ID= 250uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSTeplotný koeficient | Odkaz na 25℃, jaD= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS (ZAP.) | Odpor zdroja statického odtoku2 | VGS= 10V, ID= 20A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(th) | Prahové napätie brány | VGS=VDS, jaD= 250uA | 1,0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Teplotný koeficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 20V, VGS= 0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 20V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Dopredná transkonduktancia | VDS= 5V, ID= 10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Odolnosť brány | VDS= 0V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Celkové nabitie brány (4,5 V) | VDS= 15V, VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Poplatok za zdroj brány | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 24 | --- | ||
| Td(on) | Čas oneskorenia zapnutia | VDD= 15V, VGEN= 10V, RG=1Ω, jaD= 10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Čas vzostupu | --- | 55 | --- | ||
| Td (vypnuté) | Čas oneskorenia vypnutia | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Jeseň | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Vstupná kapacita | VDS= 15V, VGS= 0 V, f = 1 MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Výstupná kapacita | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Kapacita spätného prenosu | --- | 650 | --- |
